물 냉각

vRRMVDRM

타입 & 윤곽

600V

MT3 수소수

MFx600-06-406F3

800V

MT3 수소수

MFx600-08-406F3

1000V

MTx600-10-406F3

MFx600-10-406F3

1200v

MTx600-12-406F3

MFx600-12-406F3

1400V

MTx600-14-406F3

MFx600-14-406F3

1600V

MTx600-16-406F3

MFx600-16-406F3

1800V

MTx600-18-406F3

MFx600-18-406F3

1800V

MT600-18-406F3G

상징

특징

시험 조건

Tj(°C)

가치

단위

분

종류

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180°반 사인파 50Hz

단면 냉각, THS=55。c

125

600

a

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

942

a

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

45

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM,t=10ms 반 사이너스

125

16.0

ka

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

1280

10³a²s

VTO

임계 전압

125

0.85

v

르티

온 상태 기울기 저항

0.30

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1800A

25

1.90

v

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

200

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

v

IH

유지 전류

10

200

엄마

il

래칭 전류

1000

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.085

°C/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.040

°C/W

비소

격리 전압

50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대)

3000

v

fm

터미널 연결 토크 (M12)

12

14

N·m

장착 토크(M6)

4.5

6

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

wt

무게

1580

g

윤곽

406F3