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간략한 소개
티리스터/다이오드 모듈, MTx500 MFx500 mt500，500a,물 냉각，TECHSEM에서 생산됨.
vRRMVDRM | 타입 & 윤곽 | |
2000V | MT3 수소수 | MFx500-20-406F3 |
2200v | MT3 수소수 | MFx500-22-406F3 |
2500V | MT3 수소수산물 | MFx500-25-406F3 |
2500V | MT500-25-406F3G |
|
MTx는 모든 종류의MTC, MTA, mtk
MFx는 모든 종류의MFC, 국무외국, MFK
특징
전형적인 응용 프로그램
상징 |
특징 |
시험 조건 | Tj(°C) | 가치 |
단위 | ||
분 | 종류 | 최대 | |||||
IT(AV) | 평균 온 상태 전류 | 180° 반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55°C |
125 |
|
| 500 | a |
IT(RMS) | RMS 온 상태 전류 |
|
| 785 | a | ||
Idrm Irrm | 반복 피크 전류 | VDRM에서 VRRM에서 | 125 |
|
| 45 | 엄마 |
ITSM | 서지 온 상태 전류 | VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 | 125 |
|
| 13 | ka |
I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t | 125 |
|
| 845 | 103a2s | |
VTO | 임계 전압 |
|
125 |
|
| 0.87 | v |
르티 | 온 상태 기울기 저항 |
|
| 0.60 | mΩ | ||
VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=1500A | 25 |
|
| 2.15 | v |
dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | 게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | 게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | 엄마 |
Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | 유지 전류 | 10 |
| 200 | 엄마 | ||
il | 래칭 전류 |
|
| 1000 | 엄마 | ||
VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.085 | °C/W |
Rth(c-h) | 열 저항 케이스에서 방열판까지 | 칩당 단면 냉각 |
|
|
| 0.040 | °C/W |
비소 | 격리 전압 | 50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
| 3000 |
|
| v |
fm | 터미널 연결 토크 (M12) |
|
| 12 |
| 14 | N·m |
장착 토크(M6) |
|
| 4.5 |
| 6 | N·m | |
TVj | 접점 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | 저장 온도 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
wt | 무게 |
|
|
| 1580 |
| g |
윤곽 | 406F3 | ||||||
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