MTx1000 MFx1000 MT1000, 티리스터/다이오드 모듈, 물 냉각

물 냉각

MTx1000 MFx1000 MT1000,스리스터/다이오드 모듈,수냉식

1000A,600V~1800V,411F3

Brand:

기술 세미나

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

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소개
윤곽
등가 회로 도식

소개

간략한 소개

티리스터/다이오드 모듈e, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000a,물 냉각，TECHSEM에서 생산됨.

VRRM,VDRM

유형 및 개요

600V

800V

1000V

1200v

1400V

1600V

1800V

MTx1000-06-411F3 MTx1000-08-411F3 MTx1000-10-411F3 MTx1000-12-411F3 MTx1000-14-411F3 MTx1000-16-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3 MTx1000-18-411F3

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx는 모든 종류의 MTC, MTA, MTK를 의미합니다.

MFx는 모든 종류의 MFC, MFA, MFK를 의미합니다.

특징

절연 장착 베이스 3000V~
압력 접촉 기술
증가된 전력 사이클링 능력
공간 및 중량 절약

전형적인 응용 프로그램

AC/DC 모터 드라이브
다양한 정류기
PWM 역전용 전류 공급

상징	특징	시험 조건	Tj(°C)	가치			단위
상징	특징	시험 조건	Tj(°C)	분	종류	최대	단위
IT(AV)	평균 온 상태 전류	180°반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55°C	125			1000	a
IT(RMS)	RMS 온 상태 전류	180°반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55°C	125			1570	a
Idrm Irrm	반복 피크 전류	VDRM에서 VRRM에서	125			55	엄마
ITSM	서지 온 상태 전류	VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스	125			26.0	ka
I2t	퓨징 조정을 위한 I2t	VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스	125			3380	10³a²s
VTO	임계 전압		125			0.81	v
르티	온 상태 기울기 저항		125			0.21	mΩ
VTM	피크 온 상태 전압	ITM=3000A	25			2.05	v
dv/dt	오프 상태 전압의 비판적 상승 속도	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	정전 전류의 급격한 증가율	게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복적	125			200	A/μs
IGT	게이트 트리거 전류	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	엄마
Vgt	게이트 트리거 전압			0.8		3.0	v
IH	유지 전류			10		200	엄마
il	래칭 전류					1000	엄마
VGD	비트리거 게이트 전압	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	열 저항 접합부에서 케이스까지	단면 냉각 칩당				0.048	°C/W
Rth(c-h)	열 저항 케이스에서 방열판까지	단면 냉각 칩당				0.018	°C/W
비소	격리 전압	50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대)		3000			v
fm	터미널 연결 토크 (M12)			12		16	N·m
fm	장착 토크 (M8)			10		12	N·m
TVj	접점 온도			-40		125	°C
TSTG	저장 온도			-40		125	°C
wt	무게				3230		g
윤곽	411F3