공기 냉각

VRRM,VDRM

유형 및 개요

600V

MT3 수소수

MFx1000-06-412F3

800V

MT3 수소수

MFx1000-08-412F3

1000V

MT3 수소수

MFx1000-10-412F3

1200v

MT3 수소수

MFx1000-12-412F3

1400V

MT3 수소수

MFx1000-14-412F3

1600V

MTx1000-16-412F3

MFx1000-16-412F3

1800V

MT3 수소수

MFx1000-18-412F3

1800V

MT1000-18-412F3G

상징

특징

시험 조건

Tj(°C)

가치

단위

분

종류

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180°반 사인파 50Hz

단면 냉각, TC=65°C

125

1000

a

IT(RMS)

RMS 온 상태 전류

1570

a

Idrm Irrm

반복 피크 전류

VDRM에서 VRRM에서

125

55

엄마

ITSM

서지 온 상태 전류

VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스

125

26.0

ka

i²t

퓨징 조정을 위한 I2t

125

3380

10³a²s

VTO

임계 전압

125

0.80

v

르티

온 상태 기울기 저항

0.18

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=3000A

25

1.86

v

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

게이트 소스 1.5A

tr ≤0.5μs 반복

125

200

A/μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

200

엄마

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

v

IH

유지 전류

10

200

엄마

il

래칭 전류

1500

엄마

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

칩당 단면 냉각

0.048

°C/W

Rth(c-h)

열 저항 케이스에서 방열판까지

칩당 단면 냉각

0.020

°C/W

비소

격리 전압

50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대)

3000

v

fm

터미널 연결 토크 (M12)

12.0

16.0

N·m

장착 토크 (M8)

10.0

12.0

N·m

TVj

접점 온도

-40

125

°C

TSTG

저장 온도

-40

125

°C

wt

무게

3660

g

윤곽

412F3