басты бет / Өнімдер / IGBT модулі / 1200В
ерекшелік
ҮлгілікАуысуқосымшалар
АбсолюттіАуысуең көпАуысурейтингтерАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
IGBT
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vCES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
v |
|
vГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
± 20 |
v |
|
ic |
Жинағыш тогы @ Tc=25лыc @ Тc=100лыc |
480 300 |
a) |
|
iсм |
Импульстік коллектор тогы tp=1 мс |
600 |
a) |
|
pd |
Максималды қуат тарату @ Tj=175лыc |
1613 |
w |
Диод
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
vРРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
v |
|
if |
Диодты үздіксіз алға бұружалға алу |
300 |
a) |
|
iм-ге |
Диодтың ең жоғары алдыңғы тогы tp=1 мс |
600 |
a) |
Модуль
Ауысу
|
Символ |
сипаттама |
құн |
бірлік |
|
tjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
лыc |
|
tжіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
лыc |
|
tЖТГ |
сақтау температурасыАуқымы |
-40-дан +125-ге дейін |
лыc |
|
vISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1минут |
4000 |
v |
IGBTАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу Ауысу VCE (sat) |
Ауысу Ауысу Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC |
Ауысу |
1.70 |
2.15 |
Ауысу Ауысу v |
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC |
Ауысу |
1.95 |
Ауысу |
|||
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC |
Ауысу |
2.00 |
Ауысу |
|||
|
VGE (th) |
Gate-эмиттер шекті кернеуі |
IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
v |
|
ICES |
Жинақтаушыны кесу ағымды |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
Ауысу |
Ауысу |
1.0 |
ана |
|
ИГЭС |
Қақпақ-Эмиттер ағып кету тогы |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
Ауысу |
Ауысу |
400 |
н |
|
RGint |
Ішкі қақпа кедергісі |
Ауысу |
Ауысу |
2.5 |
Ауысу |
О |
|
Қалғандары |
Кіріс сыйымдылығы |
VCE=25В,f=1Мхц, VGE=0V |
Ауысу |
31.1 |
Ауысу |
НФ |
|
Крес |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
Ауысу |
0.87 |
Ауысу |
НФ |
|
|
Бас басқарма |
Қақпалық төлем |
VGE=- 15...+15В |
Ауысу |
2.33 |
Ауысу |
μC |
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=25oC |
Ауысу |
182 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
54 |
Ауысу |
н |
|
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
464 |
Ауысу |
н |
|
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
72 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
10.6 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
25.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=125oC |
Ауысу |
193 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
54 |
Ауысу |
н |
|
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
577 |
Ауысу |
н |
|
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
113 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
16.8 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
38.6 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Тд ((олтырау) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
Ауысу Ауысу VCC=600В,IC=300А,RG=1.3Ω,VGE=±15В,Tj=150oC |
Ауысу |
203 |
Ауысу |
н |
|
tr |
Күтерілу уақыты |
Ауысу |
54 |
Ауысу |
н |
|
|
Тд (оң) |
Сөндіру кешігу уақыты |
Ауысу |
618 |
Ауысу |
н |
|
|
Тф |
Күз мезгілі |
Ауысу |
124 |
Ауысу |
н |
|
|
Эон |
Қосылу ауысу Жоғалту |
Ауысу |
18.5 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Еоф |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
Ауысу |
43.3 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Ауысу еск |
Ауысу SC деректері |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V |
Ауысу |
Ауысу 1200 |
Ауысу |
Ауысу a) |
Ауысу
АуысуДиодАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
Ауысу VF |
Алға қарай диод кернеу |
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
Ауысу |
1.65 |
2.10 |
Ауысу v |
|
IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
|||
|
IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC |
Ауысу |
1.65 |
Ауысу |
|||
|
Qr |
Алынған айыппұл |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC |
Ауысу |
29 |
Ауысу |
μC |
|
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
318 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Кері қалпына келтіру энергиясы |
Ауысу |
18.1 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Qr |
Алынған айыппұл |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC |
Ауысу |
55 |
Ауысу |
μC |
|
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
371 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Кері қалпына келтіру энергиясы |
Ауысу |
28.0 |
Ауысу |
МЖ |
|
|
Qr |
Алынған айыппұл |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=150oC |
Ауысу |
64 |
Ауысу |
μC |
|
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
Ауысу |
390 |
Ауысу |
a) |
|
|
Ерек |
Кері қалпына келтіру энергиясы |
Ауысу |
32.8 |
Ауысу |
МЖ |
Ауысу
Ауысу
Ауысу
МодульАуысусипаттамаларыАуысуtc=25лыcАуысуегерАуысубасқа жағдайдаАуысуескертілді
Ауысу
|
Символ |
параметр |
Мин. |
Тип. |
ең көп. |
бірлік |
|
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
Ауысу |
Ауысу |
20 |
nH |
|
RCC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке |
Ауысу |
0.35 |
Ауысу |
mΩ |
|
RthJC |
Қосылым-қапшыққа (IGBT бойынша) Қаптамаға қосылу (диод бойынша) |
Ауысу |
Ауысу |
0.093 0.155 |
К/W |
|
Ауысу RthCH |
Корпус-Жылу алмасу (әр IGBT үшін) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Diode) Қалқа-жылу сорғышы (модуль бойынша) |
Ауысу |
0.016 0.027 0.010 |
Ауысу |
К/W |
|
м |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, бұранда M6 Монеттеу моменті, бұранда M6 |
2.5 3.0 |
Ауысу |
5.0 5.0 |
n.m |
|
g |
Модульдің салмағы |
Ауысу |
300 |
Ауысу |
g |
Біздің кәсіби сатушылар тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
