1700V

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

მაქს

ერთეული

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

- ნვ.

1700

v

DC კოლექტორის მიმდინარე

IC

TC = 80°C

- ნვ.

3600

a

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

- ნვ.

7200

a

ღობე-გამომცემის ძაბვა

VGES

- ნვ.

-20

20

v

მთლიანი სიმძლავრის გაფანტვა

Ptot

TC =25°C, თითო გადართვაზე(IGBT)

- ნვ.

17800

w

DC წინასწარი მიმდინარე

თუ

- ნვ.

- ნვ.

3600

a

პიკ-წინ დენი

IFRM

tp=1ms

- ნვ.

7200

a

სიძლიერის დენი

IFSM

VR = 0V,Tvj = 125°C,tp = 10ms, ნახევარი სიზუსტის ტალღა

- ნვ.

18000

a

IGBT მოკლემეტრაჟიანი SOA IGBT

- ნვ.

tpsc

- ნვ.

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

- ნვ.

- ნვ.

10

- ნვ.

μs

იზოლაციის ძაბვა

Visol

1წუთი,f=50Hz

- ნვ.

4000

v

ჯუნქციის ტემპერატურა

Tvj

- ნვ.

- ნვ.

175

°C

ჯუნქციის სამუშაო ტემპერატურა

Tvj(op)

- ნვ.

-50

150

°C

კორპუსის ტემპერატურა

tc

- ნვ.

-50

125

°C

შენახვის ტემპერატურა

TSTG

- ნვ.

-50

125

°C

მონტაჟის მომენტები

Ms

- ნვ.

4

6

- ნვ.

nm

Mt1

- ნვ.

8

10

Mt2

- ნვ.

2

3

პარამეტრი

სიმბოლო

პირობები

მნ

ტიპი

მაქს

ერთეული

კოლექტორის (გამომცემის) განყოფილება- ნვ.ძაბვა

V(BR)CES

VGE =0V,IC =10mA, Tvj =25°C

1700

- ნვ.

- ნვ.

v

კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა- ნვ.

- ნვ.

VCEsat

IC = 3600A, VGE = 15V

Tvj= 25°C

- ნვ.

2.5

- ნვ.

v

Tvj=125°C

- ნვ.

3.0

- ნვ.

v

Tvj=150°C

- ნვ.

3.1

- ნვ.

v

კოლექტორის გათიშული დენი- ნვ.

- ნვ.

ICES

VCE = 1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

- ნვ.

- ნვ.

10

mA

Tvj=125°C

- ნვ.

- ნვ.

100

mA

Tvj=150°C

- ნვ.

170

- ნვ.

mA

ღობეების გაჟონვის დენი- ნვ.

IGES

VCE =0V,VGE =20V,TVj =125°C

-500

- ნვ.

500

nA

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა- ნვ.

VGE ((თ)

IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.3

- ნვ.

7.3

v

კარიბჭის გადასახადი- ნვ.

სათაო ოფისი

IC = 2400A,VCE = 900V,VGE = 15V... 15V

- ნვ.

21.0

- ნვ.

µC

შეყვანის სიმძლავრე- ნვ.

კაი

- ნვ.

- ნვ.

VCE = 25V,VGE = 0V,f=1MHz,Tvj = 25°C

- ნვ.

239

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

NF

გამოსავალი გამტარუნარიანობა- ნვ.

Coes

- ნვ.

20.9

- ნვ.

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე- ნვ.

კრეს

- ნვ.

9.24

- ნვ.

ჩართვის შეფერხების დრო- ნვ.

- ნვ.

თსს

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

VCC = 900V, IC = 3600A, RG = 2,2Ω, VGE = ± 15V, Lσ = 280nH,- ნვ.

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1200

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1500

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

1600

- ნვ.

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ- ნვ.

- ნვ.

ტრ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

1400

- ნვ.

Tvj = 125 °C

- ნვ.

1600

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

1700

- ნვ.

გამორთვის დაგვიანების დრო- ნვ.

- ნვ.

ტდ (((გამოხურული)

Tvj = 25 °C

- ნვ.

3000

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj = 125 °C

- ნვ.

3500

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

3700

- ნვ.

შემოდგომის დრო- ნვ.

- ნვ.

ტფ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

500

- ნვ.

Tvj = 125 °C

- ნვ.

560

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

620

- ნვ.

ჩართვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა- ნვ.

- ნვ.

ეონ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

2700

- ნვ.

- ნვ.

mJ

Tvj = 125 °C

- ნვ.

2900

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

3200

- ნვ.

გამორთვის გადართვის ენერგიის დაკარგვა- ნვ.

- ნვ.

ეოფ

Tvj = 25 °C

- ნვ.

3800

- ნვ.

- ნვ.

mJ

Tvj = 125 °C

- ნვ.

4100

- ნვ.

Tvj = 150 °C

- ნვ.

4400

- ნვ.

მოკლემეტრაჟიანი დენი- ნვ.

ISC

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

- ნვ.

10000

- ნვ.

a