ყველა კატეგორია

1700V

1700V

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / 1700V

GD650HFX170P1S

IGBT მოდული,1700V 650A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD650HFX170P1S
  • შესავალი
შესავალი

მახასიათებლები

  • დაბალი Vc(მჯდომარე)- ნვ.საფენი- ნვ.IGBT- ნვ.ტექნოლოგია
  • 10μs- ნვ.მოკლე მიერთების კაპაბუბედურება
  • vc(მჯდომარე)- ნვ.ერთად- ნვ.დადებითი- ნვ.ტემპერატურა- ნვ.კოეფიციენტი
  • მაქსიმალური- ნვ.ჯუნქციის ტემპერატურა- ნვ.175oc
  • გაფართოებული დიოდი რეგენერაციულიოპერაცია
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით
  • მაღალი სიმძლავრის და თერმული ციკლირების უნარიეს

- ნვ.

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • მაღალი სიმძლავრის კონვერტერი
  • ქარი და მზის ენერგია
  • ტრაქციის დრაივი

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.შენიშვნა

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

1073

650

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი t=1ms

1300

a

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T=175oc

4.2

კვ

- ნვ.

დიოდი

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

650

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t=1ms

1300

a

მოდული

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +150-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1წთ

4000

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=25oc

- ნვ.

1.90

2.35

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=125oc

- ნვ.

2.35

- ნვ.

ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=150oc

- ნვ.

2.45

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები()

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.t=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

2.3

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

72.3

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.75

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

5.66

- ნვ.

μC

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,T=25oc

- ნვ.

468

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

86

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

850

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

363

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

226

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

161

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,T=- ნვ.125oc

- ნვ.

480

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

110

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1031

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

600

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

338

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

226

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,T=- ნვ.150oc

- ნვ.

480

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

120

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1040

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

684

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

368

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

242

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

t≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

t=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

2600

- ნვ.

- ნვ.

a

დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=25oc

- ნვ.

1.85

2.30

- ნვ.

v

if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.98

- ნვ.

if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=- ნვ.150oc

- ნვ.

2.02

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიt=25oc

- ნვ.

176

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

765

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

87.4

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.t=- ნვ.125oc

- ნვ.

292

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

798

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

159

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=650A,

-di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.t=- ნვ.150oc

- ნვ.

341

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

805

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

192

- ნვ.

mJ

NTC- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

ΔR/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=- ნვ.100- ნვ.oC,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.

1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

18

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს

- ნვ.

0.30

- ნვ.

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

35.8

71.3

K/kW

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

13.5

26.9

4.5

- ნვ.

K/kW

- ნვ.

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მ4- ნვ.ტერმინალის კავშირიბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M8- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5

1.8

8.0

3.0

- ნვ.

2.1

10.0

6.0

- ნვ.

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

810

- ნვ.

g

- ნვ.

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000