მახასიათებლები
- ნვ.
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.შენიშვნა
IGBT
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
vCES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
v |
vგენერალური საწვავის სისტემა |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
v |
ic |
კოლექტორის დენი @ Tc=25oc @ ტc=- ნვ.100oc |
1073 650 |
a |
icm |
პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms |
1300 |
a |
პდ |
მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc |
4.2 |
კვ |
- ნვ.
დიოდი
- ნვ.
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
vRRM |
განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1700 |
v |
if |
დიოდი უწყვეტი წინქირაობა |
650 |
a |
iFM |
დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms |
1300 |
a |
მოდული
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
tjmax |
მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
oc |
tჯოპი |
მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
oc |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი |
-40-დან +150-მდე |
oc |
vიზო |
იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1წთ |
4000 |
v |
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) |
- ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა |
ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc |
- ნვ. |
1.90 |
2.35 |
- ნვ. - ნვ. v |
ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc |
- ნვ. |
2.35 |
- ნვ. |
|||
ic=650A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc |
- ნვ. |
2.45 |
- ნვ. |
|||
vგენერალური საწარმოები(თ) |
ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა |
ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
v |
iCES |
კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული მიმდინარე |
vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V, tჯ=25oc |
- ნვ. |
- ნვ. |
5.0 |
mA |
iგენერალური საწვავის სისტემა |
კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე |
vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc |
- ნვ. |
- ნვ. |
400 |
nA |
rგინტი |
შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური |
- ნვ. |
- ნვ. |
2.3 |
- ნვ. |
Ω |
cივ |
შეყვანის სიმძლავრე |
vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V |
- ნვ. |
72.3 |
- ნვ. |
NF |
cres |
საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
1.75 |
- ნვ. |
NF |
|
qg |
კარიბჭის გადასახადი |
vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V |
- ნვ. |
5.66 |
- ნვ. |
μC |
tდ(თეთრი) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25oc |
- ნვ. |
468 |
- ნვ. |
n |
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
86 |
- ნვ. |
n |
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
850 |
- ნვ. |
n |
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
363 |
- ნვ. |
n |
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა |
- ნვ. |
226 |
- ნვ. |
mJ |
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
161 |
- ნვ. |
mJ |
|
tდ(თეთრი) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=- ნვ.125oc |
- ნვ. |
480 |
- ნვ. |
n |
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
110 |
- ნვ. |
n |
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
1031 |
- ნვ. |
n |
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
600 |
- ნვ. |
n |
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა |
- ნვ. |
338 |
- ნვ. |
mJ |
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
226 |
- ნვ. |
mJ |
|
tდ(თეთრი) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. vCC=900V,Ic=650A,კალენდარიrგონ=- ნვ.1.8Ω,Rგოფ=2.7Ω,vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=- ნვ.150oc |
- ნვ. |
480 |
- ნვ. |
n |
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
120 |
- ნვ. |
n |
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
1040 |
- ნვ. |
n |
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
684 |
- ნვ. |
n |
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა |
- ნვ. |
368 |
- ნვ. |
mJ |
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
242 |
- ნვ. |
mJ |
|
- ნვ. isc |
- ნვ. ს.კ. მონაცემები |
tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, tჯ=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V |
- ნვ. |
- ნვ. 2600 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
- ნვ. vf |
დიოდი წინ ძაბვა |
if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc |
- ნვ. |
1.85 |
2.30 |
- ნვ. v |
if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc |
- ნვ. |
1.98 |
- ნვ. |
|||
if=650A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc |
- ნვ. |
2.02 |
- ნვ. |
|||
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc |
- ნვ. |
176 |
- ნვ. |
μC |
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
765 |
- ნვ. |
a |
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
87.4 |
- ნვ. |
mJ |
|
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc |
- ნვ. |
292 |
- ნვ. |
μC |
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
798 |
- ნვ. |
a |
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
159 |
- ნვ. |
mJ |
|
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc |
- ნვ. |
341 |
- ნვ. |
μC |
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
805 |
- ნვ. |
a |
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
192 |
- ნვ. |
mJ |
NTC- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
r25 |
ნომინირებული წინააღმდეგობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
5.0 |
- ნვ. |
kΩ |
ΔR/R |
გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100 |
tc=- ნვ.100- ნვ.oC,R100= 493.3Ω |
-5 |
- ნვ. |
5 |
% |
პ25 |
სიმძლავრე გამონაბოლქვი |
- ნვ. |
- ნვ. |
- ნვ. |
20.0 |
მვ |
ბ25/50 |
B-მასპინძელი |
r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] |
- ნვ. |
3375 |
- ნვ. |
k |
ბ25/80 |
B-მასპინძელი |
r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] |
- ნვ. |
3411 |
- ნვ. |
k |
ბ25/100 |
B-მასპინძელი |
r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ. 1⁄298.15K))] |
- ნვ. |
3433 |
- ნვ. |
k |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
სიმბოლო |
პარამეტრი |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
- ნვ.c |
ცარიელი ინდუქტენტობა |
- ნვ. |
18 |
- ნვ. |
nH |
rCC+EE |
მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს |
- ნვ. |
0.30 |
- ნვ. |
mΩ |
rthJC |
კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) კვანძები (D-ზე)იოდი) |
- ნვ. |
- ნვ. |
35.8 71.3 |
K/kW |
- ნვ. rthCH |
კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) |
- ნვ. |
13.5 26.9 4.5 |
- ნვ. |
K/kW |
- ნვ. m |
ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მ4- ნვ.ტერმინალის კავშირიბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M8- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5 |
1.8 8.0 3.0 |
- ნვ. |
2.1 10.0 6.0 |
- ნვ. n.m |
g |
წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული |
- ნვ. |
810 |
- ნვ. |
g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.