გასაღები- ნვ.პარამეტრები
|
vCES |
3300- ნვ.v |
|
vc(მჯდომარე) |
(ტიპი)- ნვ.- ნვ.2.40- ნვ.v |
|
ic |
(მაქსიმუმი)- ნვ.1000- ნვ.a |
|
iC(RM) |
(მაქსიმუმი)- ნვ.- ნვ.2000- ნვ.a |
- ნვ.
ტიპური გამოყენებები
ტიპური გამოყენებები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგი
|
(სიმბოლო) |
(პარამეტრი) |
(ტესტირების პირობები) |
(მნიშვნელობა) |
(ერთეული) |
|
VCES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
VGE = 0V, TC= 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
I C |
კოლექტორ-გამომცემის დენი |
TC = 95 °C |
1000 |
a |
|
IC ((PK) |
პიკის კოლექტორის მიმდინარე |
t P= 1ms |
2000 |
a |
|
P მაქს |
მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
კვ |
|
I 2t |
დიოდი I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
Visol |
იზოლაციის ძაბვა – თითო მოდულზე |
საერთო ტერმინალები ბაზის პლატისთვის), AC RMS,1 წთ, 50Hz,TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
Q PD |
პარტიული გაწვდვა – თითო მოდულზე |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pc |
- ნვ.
- ნვ.
ელექტრული მახასიათებლები
|
(სიმბოლო) |
(პარამეტრი) |
(ტესტირების პირობები) |
(მინიმუმი) |
(ტიპი) |
(მაქსიმუმი) |
(ერთეული) |
|
|
- ნვ. I CES |
- ნვ. - ნვ. კოლექტორის გამორთული დენი |
VGE = 0V,VCE = VCES |
- ნვ. |
- ნვ. |
1 |
mA |
|
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
- ნვ. |
- ნვ. |
60 |
mA |
|||
|
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
- ნვ. |
- ნვ. |
100 |
mA |
|||
|
I GES |
- ნვ. ღობეების გაჟონვის დენი |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
- ნვ. |
- ნვ. |
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
ღობეების ზღვრული ძაბვა |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
- ნვ. VCE |
- ნვ. (*1) (sat) |
კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე ძაბვა |
VGE= 15V, I C= 1000A |
- ნვ. |
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
- ნვ. |
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
- ნვ. |
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
დიოდური წინასწარი დენი |
dc |
- ნვ. |
1000 |
- ნვ. |
a |
|
|
I FRM |
- ნვ. დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი |
t P = 1ms |
- ნვ. |
2000 |
- ნვ. |
a |
|
|
- ნვ. VF(*1) |
- ნვ. - ნვ. დიოდის წინამავალი ძაბვა |
I F= 1000A |
- ნვ. |
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
- ნვ. |
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
- ნვ. |
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
- ნვ. შეყვანის სიმძლავრე |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- ნვ. |
170 |
- ნვ. |
NF |
|
|
Q g |
კარიბჭის გადასახადი |
±15V |
- ნვ. |
17 |
- ნვ. |
μC |
|
|
C res |
საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
- ნვ. |
4 |
- ნვ. |
NF |
|
|
L M |
- ნვ. მოდულის ინდუქტენტობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
15 |
- ნვ. |
nH |
|
|
R INT |
ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
165 |
- ნვ. |
μΩ |
|
|
- ნვ. I SC |
კороткое ჩართვის მიმდინარე, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
- ნვ. |
- ნვ. 3900 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
|
- ნვ.
|
ტდ (((გამოხურული) |
გამორთვის დაგვიანების დრო |
- ნვ. I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- ნვ. |
1800 |
- ნვ. |
n |
|
t f |
დროის დაცემა |
- ნვ. |
530 |
- ნვ. |
n |
|
|
E OFF |
გამორთვის ენერგიის დანაკარგი |
- ნვ. |
1600 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
თსს |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. |
680 |
- ნვ. |
n |
|
|
t r |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
320 |
- ნვ. |
n |
|
|
ეონ |
ჩართვის ენერგიის დაკარგვა |
- ნვ. |
1240 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
Q rr |
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
- ნვ. |
780 |
- ნვ. |
μC |
|
I rr |
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე |
- ნვ. |
810 |
- ნვ. |
a |
|
|
E rec |
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის ენერგია |
- ნვ. |
980 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
ტდ (((გამოხურული) |
გამორთვის დაგვიანების დრო |
- ნვ. I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
- ნვ. |
1940 |
- ნვ. |
n |
|
t f |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
580 |
- ნვ. |
n |
|
|
E OFF |
გამორთვის ენერგიის დანაკარგი |
- ნვ. |
1950 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
თსს |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. |
660 |
- ნვ. |
n |
|
|
t r |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
340 |
- ნვ. |
n |
|
|
ეონ |
ჩართვის ენერგიის დაკარგვა |
- ნვ. |
1600 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
Q rr |
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის დატვირთვა |
I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
- ნვ. |
1200 |
- ნვ. |
μC |
|
I rr |
დიოდის უკუქცევითი აღდგენის მიმდინარე |
- ნვ. |
930 |
- ნვ. |
a |
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
