3300V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

ღირებულება

ერთეული

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 °C

± 20

v

IC

კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 100 °C

250

a

IC ((PK)

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tp=1ms

500

a

Pmax

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

კვ

I2t

დიოდი I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

- ნვ.

Visol

იზოლაციის ძაბვა - ერთ მოდულზე

(საერთო ტერმინალები ბაზის პლატასთან), AC RMS,1 წუთი, 50Hz, TC= 25 °C

- ნვ.

6

- ნვ.

kV

- ნვ.

QPD

ნაწილობრივი გამონადენი - ერთ მოდულზე

- ნვ.

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50ჰერცტიანი RMS

- ნვ.

10

- ნვ.

pc

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

ICES

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

- ნვ.

- ნვ.

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- ნვ.

- ნვ.

25

mA

IGES

ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

- ნვ.

- ნვ.

1

μA

VGE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

VCE (sat) ((*1)

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე- ნვ.ძაბვა

VGE = 15V, IC = 250A

- ნვ.

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

3.30

3.60

v

თუ

დიოდური წინასწარი დენი

dc

- ნვ.

250

- ნვ.

a

IFRM

დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

- ნვ.

500

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

VF(*1)

- ნვ.

- ნვ.

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

- ნვ.

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- ნვ.

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- ნვ.

2.25

2.55

v

- ნვ.

ISC

მოკლემეტრაჟიანი დენი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- ნვ.

- ნვ.

900

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

ICES

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

- ნვ.

- ნვ.

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- ნვ.

- ნვ.

25

mA

IGES

ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

- ნვ.

- ნვ.

1

μA

VGE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

VCE (sat) ((*1)

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე

ძაბვა

VGE = 15V, IC = 250A

- ნვ.

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

3.30

3.60

v

თუ

დიოდური წინასწარი დენი

dc

- ნვ.

250

- ნვ.

a

IFRM

დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

- ნვ.

500

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

VF(*1)

- ნვ.

- ნვ.

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 250A, VGE = 0

- ნვ.

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- ნვ.

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- ნვ.

2.25

2.55

v

- ნვ.

ISC

- ნვ.

მოკლემეტრაჟიანი დენი

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- ნვ.

- ნვ.

900

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.

td(off)

- ნვ.

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

ic- ნვ.=250A,

vc- ნვ.=- ნვ.1800 ვოლტი,კალენდარიvგენერალური საწარმოები- ნვ.=კალენდარი±15V,კალენდარიrG ((OFF)- ნვ.=- ნვ.9.0Ω- ნვ.,- ნვ.cგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.56nF,

- ნვ.s- ნვ.=- ნვ.150nH,

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

1480

- ნვ.

- ნვ.

n

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

1550

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

1570

- ნვ.

- ნვ.

tf

- ნვ.

შემოდგომის დრო

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

1280

- ნვ.

- ნვ.

n

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

1920

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

2120

- ნვ.

- ნვ.

ეგათიშული

- ნვ.

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

300

- ნვ.

- ნვ.

mJ

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

380

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

400

- ნვ.

- ნვ.

td(on)

- ნვ.

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

ic- ნვ.=250A,

vc- ნვ.=- ნვ.1800 ვოლტი,კალენდარიvგენერალური საწარმოები- ნვ.=კალენდარი±15V,კალენდარიrG ((ON)- ნვ.= 6.0Ω- ნვ.,- ნვ.cგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.56nF,

- ნვ.s- ნვ.=- ნვ.150nH,

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

640

- ნვ.

- ნვ.

n

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

650

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

650

- ნვ.

tr

- ნვ.

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

220

- ნვ.

- ნვ.

n

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

235

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

238

- ნვ.

ეთეთრი

- ნვ.

ჩართვის ენერგია- ნვ.დაკარგვა

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

395

- ნვ.

- ნვ.

mJ

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

510

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

565

- ნვ.

- ნვ.

qrr

დიოდი- ნვ.უკან

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

if- ნვ.=250A,

vc- ნვ.=- ნვ.1800 ვოლტი,

- ჟif/dt- ნვ.=- ნვ.1200A/US,- ნვ.(tvj=- ნვ.125- ნვ.°C).

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

190

- ნვ.

- ნვ.

μC

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

295

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

335

- ნვ.

- ნვ.

irr

დიოდი- ნვ.უკან

აღდგენის დენი

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

185

- ნვ.

- ნვ.

a

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

210

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

216

- ნვ.

- ნვ.

ერეკ

დიოდი- ნვ.უკან

აღდგენის ენერგია

tvj=- ნვ.25- ნვ.°C

- ნვ.

223

- ნვ.

- ნვ.

mJ

tvj=- ნვ.125- ნვ.°C

- ნვ.

360

- ნვ.

tvj=- ნვ.150- ნვ.°C

- ნვ.

410

- ნვ.