შედუღების დიოდი

iT(AV)კალენდარი

10500a

vDRMVRRM

200V    400V

- ნვ.

სიმბოლო

- ნვ.

მახასიათებელი

- ნვ.

გამოცდის პირობები

Tj(◊C)

ღირებულება

- ნვ.

ერთეული

მნ

ტიპი

მაქს

IF(AV)

საშუალო წინასწარი დენი

180◊ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

ორმაგი მხრიდან გაგრილებული, TC=85◊c

175

- ნვ.

- ნვ.

10500

a

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

175

200

- ნვ.

400

v

IRRM

განმეორებითი პიკური დენი

VRRM-ზე

175

- ნვ.

- ნვ.

50

mA

IFSM

სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0VRRM

- ნვ.

175

- ნვ.

- ნვ.

70

KA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

- ნვ.

- ნვ.

24500

103A2s

VFO

საფეხური ძაბვა

- ნვ.

IFM=7000-21000A

- ნვ.

175

- ნვ.

- ნვ.

0.81

v

რფ

წინასწარი სლოპის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.026

მΩ

VFM

მაქსიმალური პიკი აქტიური ძაბვა

IFM=6000A

25

- ნვ.

- ნვ.

1.00

v

კრრ

აღდგენის გადასახადი

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

175

- ნვ.

- ნვ.

300

µC

Rth(j-c)

თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

- ნვ.

1800 სინუსზე, ორმხრივი გაგრილება

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.005

- ნვ.

◊C /W

Rth(c-h)

თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

0.0025

FM

მონტაჟის ძალა

- ნვ.

- ნვ.

30

40

50

კნ

Tvj

ჯუნქციის ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

175

◊c

TSTG

შენახვის ტემპერატურა

- ნვ.

- ნვ.

-40

- ნვ.

175

◊c

Wt

წონა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

110

- ნვ.

g

კონტური

Z50T