1700V

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

ღირებულება

ერთეული

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

TC= 25 °C

± 20

v

IC

კოლექტორ-გამომცემის დენი

TC = 65 °C

1400

a

IC ((PK)

集电极峰值电流

პიკის კოლექტორის მიმდინარე

tp=1ms

2800

a

Pmax

მაქსიმალური ტრანზიტორის ენერგიის გაფანტვა

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

კვ

I2t

დიოდი I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

- ნვ.

Visol

იზოლაციის ძაბვა - ერთ მოდულზე

საერთო ტერმინალები ბაზის პლატასთან), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

- ნვ.

4000

- ნვ.

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

ICES

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორის გამორთული დენი

VGE = 0V,VCE = VCES

- ნვ.

- ნვ.

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

- ნვ.

- ნვ.

20

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

- ნვ.

- ნვ.

30

mA

IGES

ღობეების გაჟონვის დენი

VGE = ±20V, VCE = 0V

- ნვ.

- ნვ.

0.5

μA

VGE (TH)

ღობეების ზღვრული ძაბვა

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

- ნვ.

- ნვ.

VCE (sat) ((*1)

- ნვ.

- ნვ.

კოლექტორ-გამომცემის სიმკვრივე- ნვ.ძაბვა

VGE = 15V, IC = 1400A

- ნვ.

2.00

2.40

v

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

- ნვ.

2.45

2.70

v

VGE = 15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

- ნვ.

2.55

2.80

v

თუ

დიოდური წინასწარი დენი

dc

- ნვ.

1400

- ნვ.

a

IFRM

დიოდის პიკის წინასწარი დენი

tP = 1ms

- ნვ.

2800

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.

VF(*1)

- ნვ.

- ნვ.

დიოდის წინამავალი ძაბვა

IF = 1400A, VGE = 0

- ნვ.

1.80

2.20

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- ნვ.

1.95

2.30

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

- ნვ.

2.00

2.40

v

- ნვ.

ISC

- ნვ.

მოკლემეტრაჟიანი დენი

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- ნვ.

- ნვ.

5400

- ნვ.

- ნვ.

a

კაი

შესვლის კაპასიტივობა

შეყვანის სიმძლავრე

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- ნვ.

113

- ნვ.

NF

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

±15V

- ნვ.

11.7

- ნვ.

μC

კრეს

საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- ნვ.

3.1

- ნვ.

NF

- ნვ.

მოდულის ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

10

- ნვ.

nH

RINT

ტრანზიისტორის შიდა წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

0.2

- ნვ.

mΩ

- ნვ.

ტდ (((გამოხურული)

- ნვ.

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG ((OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- ნვ.

1520

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj= 125 °C

- ნვ.

1580

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

1600

- ნვ.

- ნვ.

ტფ

- ნვ.

დასვენების დროშემოდგომის დრო

Tvj= 25 °C

- ნვ.

460

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj= 125 °C

- ნვ.

610

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

650

- ნვ.

- ნვ.

ეოფ

- ნვ.

გამორთვის ენერგიის დანაკარგი

Tvj= 25 °C

- ნვ.

460

- ნვ.

- ნვ.

mJ

Tvj= 125 °C

- ნვ.

540

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

560

- ნვ.

- ნვ.

თსს

- ნვ.

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

IC = 1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG ((ON) = 1.2Ω, LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- ნვ.

400

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj= 125 °C

- ნვ.

370

Tvj= 150 °C

- ნვ.

360

- ნვ.

ტრ

- ნვ.

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

Tvj= 25 °C

- ნვ.

112

- ნვ.

- ნვ.

n

Tvj= 125 °C

- ნვ.

120

Tvj= 150 °C

- ნვ.

128

- ნვ.

- ნვ.

ეონ

- ნვ.

ჩართვის ენერგიის დაკარგვა

Tvj= 25 °C

- ნვ.

480

- ნვ.

- ნვ.

mJ

Tvj= 125 °C

- ნვ.

580

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

630

- ნვ.

- ნვ.

კრრ

დიოდი უკანა

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

IF = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

- ნვ.

315

- ნვ.

- ნვ.

μC

Tvj= 125 °C

- ნვ.

440

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

495

- ნვ.

- ნვ.

ირ

დიოდი უკანა

აღდგენის დენი

Tvj= 25 °C

- ნვ.

790

- ნვ.

- ნვ.

a

Tvj= 125 °C

- ნვ.

840

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

870

- ნვ.

- ნვ.

ერეკი

დიოდი უკანა

აღდგენის ენერგია

Tvj= 25 °C

- ნვ.

190

- ნვ.

- ნვ.

mJ

Tvj= 125 °C

- ნვ.

270

- ნვ.

Tvj= 150 °C

- ნვ.

290

- ნვ.