ყველა კატეგორია

1200 ვოლტი

1200 ვოლტი

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / 1200 ვოლტი

GD900SGU120C3SN

IGBT მოდული,1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGU120C3SN
  • შესავალი
შესავალი

მახასიათებლები

  • NPT IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs- ნვ.მოკლე მიერთების კაპაბუბედურება
  • დაბალი- ნვ.გადასვლის დანაკარგი
  • ულტრასწრაფი შესრულებით გამძლეთეატრალური
  • vc(მჯდომარე)- ნვ.ერთად- ნვ.დადებითი- ნვ.ტემპერატურა- ნვ.კოეფიციენტი
  • სწრაფი და რბილი საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ანტი-пარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • გამორთვის რეჟიმის ენერგიის წყარო
  • ინდუქციური გათბობა
  • ელექტრონული შედუღებელი

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

IGBT

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=80oc

1350

900

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი t=1ms

1800

a

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T=150oc

7.40

კვ

დიოდი

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

900

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t=1ms

1800

a

მოდული

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1წთ

4000

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=25oc

- ნვ.

2.90

3.35

- ნვ.

v

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=125oc

- ნვ.

3.60

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები()

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.16.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტ=25oc

5.0

6.1

7.0

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

53.1

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

3.40

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

8.56

- ნვ.

μC

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=800A,კალენდარიrg=- ნვ.1.3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,t=25oc

- ნვ.

90

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

81

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

500

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

55

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

36.8

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

41.3

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=800A,კალენდარიrg=- ნვ.1.3Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.t=- ნვ.125oc

- ნვ.

115

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

92

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

550

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

66

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

52.5

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

59.4

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

t≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

t=125oC,VCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

5200

- ნვ.

- ნვ.

a

დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=800A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=25oc

- ნვ.

1.95

2.40

v

if=800A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.t=25oc

- ნვ.

56

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

550

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

38.7

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vCC=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.t=- ნვ.125oc

- ნვ.

148

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

920

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

91.8

- ნვ.

mJ

- ნვ.

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

12

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს

- ნვ.

0.19

- ნვ.

rθჟ.კ.

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

16.9

26.2

K/kW

rθCS

კასე-დან-სინკ (IGBT-ის მიხედვით)

კოლოფიდან მდინარეს (დიოდების მიხედვით)

- ნვ.

19.7

30.6

- ნვ.

K/kW

rθCS

კასე-დან-სანკამდე

- ნვ.

6.0

- ნვ.

K/kW

- ნვ.

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მ4- ნვ.ტერმინალის კავშირიბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M8- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

1.8

8.0

4.25

- ნვ.

2.1

10

5.75

- ნვ.

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

1500

- ნვ.

g

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000