1200 ვოლტი

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±30

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

1250

800

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms

1600

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

4166

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

800

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

1600

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

2500

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=150oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=32.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25oc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.13

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=30V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

79.2

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

2.40

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15 ვოლტი

- ნვ.

4.80

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,კალენდარიrg=- ნვ.1.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,tჯ=25oc

- ნვ.

408

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

119

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

573

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

135

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

21.0

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

72.4

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,კალენდარიrg=- ნვ.1.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

409

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

120

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

632

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

188

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

26.4

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

107

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,კალენდარიrg=- ნვ.1.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

410

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

123

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

638

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

198

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

28.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

112

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,

tჯ=150oC,VCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

3200

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=800A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.80

2.25

- ნვ.

v

if=800A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.85

- ნვ.

if=800A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.85

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc

- ნვ.

81.0

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

518

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

39.4

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

136

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

646

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

65.2

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

155

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

684

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

76.6

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა,ტერმინალი ჩიპს

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

კვანძები (D-ზე)იოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.036

0.048

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.123

0.163

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

- ნვ.

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მ4- ნვ.ტერმინალის კავშირიბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

1.1

2.5

3.0

- ნვ.

2.0

5.0

5.0

- ნვ.

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g