ყველა კატეგორია

1200 ვოლტი

1200 ვოლტი

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / 1200 ვოლტი

GD800HFA120C6SD

IGBT მოდული,1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • შესავალი
შესავალი

მახასიათებლები

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBტექნოლოგია
  • კороткое ჩართვის შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • მაქსიმალურიჯუნქციის ტემპერატურა175oc
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი და რბილი საპირისპირო აღდგენაანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის სათავე პლატაe DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • ჰიბრიდული და ელექტრო ავტომობილი
  • ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • უწყვეტი დენის მიწოდება

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა- ნვ.

IGBT

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=100oc

800

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი t=1ms

1600

a

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tvj=175oc

4687

w

დიოდი

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vRRM

მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვამოწოდება

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინ კუბინა

900

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t=1ms

1800

a

iFSM

მოწოდების წინასწარი მიმდინარე  t=10ms  @ Tvj=125oc- ნვ.@ ტvj=175oc

2392

2448

a

i2t

i2თ-ღირებულება,t=10Ms@tvj=125oc@ ტvj=175oc

28608

29964

a2s

მოდული

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tvjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tvjop

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი- ნვ.გამსჭვალვის ძაბვა

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=25oc

- ნვ.

1.40

1.85

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=125oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

ic=800A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tvj=175oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები()

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=24.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშულიმიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tvj=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tvj=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=100kHz,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

28.4

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა- ნვ.გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.15

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი

- ნვ.

2.05

- ნვ.

μC

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,- ნვ.rg=0.5Ω, Ls=40nH,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=25oc

- ნვ.

168

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

78

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

428

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

123

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

43.4

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

77.0

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,- ნვ.

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=125oc

- ნვ.

172

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

84

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

502

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

206

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

86.3

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

99.1

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=800A,

- ნვ.rg=0.5Ω, Ls=40nH,- ნვ.

vგენერალური საწარმოები=-8V/+15V,

tvj=175oc

- ნვ.

174

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

90

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

531

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

257

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

99.8

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა- ნვ.დაკარგვა

- ნვ.

105

- ნვ.

mJ

- ნვ.

- ნვ.

isc

- ნვ.

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

t≤ 8μs,vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tvj=150oC,

vCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2600

- ნვ.

- ნვ.

a

t≤ 6μs,vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tvj=175oC,

vCC=800V,- ნვ.vCEM- ნვ.1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

2500

- ნვ.

- ნვ.

a

დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

- ნვ.

vf

დიოდი წინ- ნვ.ძაბვა

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=25oc

- ნვ.

1.60

2.00

- ნვ.

v

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=125oc

- ნვ.

1.60

- ნვ.

if=900A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tvj=175oc

- ნვ.

1.50

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=25oc

- ნვ.

47.7

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

400

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

13.6

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=125oc

- ნვ.

82.7

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

401

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

26.5

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vr=600 ვოლტი,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-8V, ლs=40nH,tvj=175oc

- ნვ.

110

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

413

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

- ნვ.

34.8

- ნვ.

mJ

- ნვ.

NTC- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

r25

ნომინირებული წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

5.0

- ნვ.

∆R/R

გადახრა- ნვ.თეთრი- ნვ.r100

tc=100- ნვ.oc,R100= 493.3Ω

-5

- ნვ.

5

%

25

სიმძლავრე

გამონაბოლქვი

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20.0

მვ

25/50

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/501/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3375

- ნვ.

k

25/80

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/801/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3411

- ნვ.

k

25/100

B-მასპინძელი

r2=R25exp[ბ]25/1001/T2- ნვ ჱნამ.- ნვ.1⁄298.15K))]

- ნვ.

3433

- ნვ.

k

- ნვ.

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

20

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

0.80

- ნვ.

rthJC

გადასასვლელი- ნვ ჱნამ.ბარემ- ნვ ჱნამ.შემთხვევა(perIGBT)- ნვ.ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.032

- ნვ.0.049

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)ქეის-დან-ჰეითსინკ (pe)დიოდის)ქეის-დან-ჰეითსინკ-ის (თითოეულში)მოდული)

- ნვ.

0.030- ნვ.

0.046- ნვ.

0.009

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M5

3.0- ნვ.3.0

- ნვ.

6.0- ნვ.6.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

350

- ნვ.

g

- ნვ.

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000