1200 ვოლტი

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

680

450

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

900

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T- ნვ.=175oc

2173

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

450

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

900

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.70

2.05

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

ic=450A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=11.3mA,vc=vგენერალური საწარმოები,tჯ=25oc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

1.7

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

46.6

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.31

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

3.50

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A,კალენდარიrg= 1,5Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

328

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

76

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

539

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

108

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

19.5

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

46.6

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A,კალენდარიrg= 1,5Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

376

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

86

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

595

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

214

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

36.3

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

53.5

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=450A,კალენდარიrg= 1,5Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

380

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

89

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

608

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

232

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

41.7

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

55.5

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=800V,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

1800

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.65

2.10

- ნვ.

v

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=125oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=150oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

29.4

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

275

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

13.2

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=125oc

- ნვ.

68.8

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

342

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

31.6

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15V,tჯ=150oc

- ნვ.

79.6

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

354

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

35.8

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდული Lead Resistaთმალალთ ნა ქპს

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.069

0.108

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.033

0.051

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g