მახასიათებლები
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
- ნვ.
IGBT
|
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
|
VCES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
v |
|
VGES |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
v |
|
IC |
კოლექტორის დენი @ TC=25oC @ TC=95oC |
683 450 |
a |
|
ICM |
პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms |
900 |
a |
|
PD |
მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175oC |
2678 |
w |
- ნვ.
დიოდი
- ნვ.
|
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
|
vRRM |
განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1700 |
v |
|
if |
დიოდი უწყვეტი წინქირაობა |
450 |
a |
|
iFM |
დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms |
900 |
a |
მოდული
- ნვ.
|
სიმბოლო |
აღწერა |
ღირებულება |
ერთეული |
|
tjmax |
მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
oc |
|
tჯოპი |
მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
oc |
|
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი |
-40-დან +125-მდე |
oc |
|
vიზო |
იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ |
4000 |
v |
- ნვ.
IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
|
- ნვ. - ნვ. VCE (სატ) |
- ნვ. - ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა |
IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC |
- ნვ. |
2.00 |
2.45 |
- ნვ. - ნვ. v |
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC |
- ნვ. |
2.40 |
- ნვ. |
|||
|
IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC |
- ნვ. |
2.50 |
- ნვ. |
|||
|
VGE ((თ) |
ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.4 |
6.1 |
7.4 |
v |
|
ICES |
კოლექტორის გათიშვა მიმდინარე |
VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC |
- ნვ. |
- ნვ. |
5.0 |
mA |
|
IGES |
გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
- ნვ. |
- ნვ. |
400 |
nA |
|
RGint |
შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
0.3 |
- ნვ. |
Ω |
|
კაი |
შეყვანის სიმძლავრე |
VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
- ნვ. |
30.0 |
- ნვ. |
NF |
|
კრეს |
საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
1.08 |
- ნვ. |
NF |
|
|
სათაო ოფისი |
კარიბჭის გადასახადი |
VGE=-15...+15V |
- ნვ. |
2.70 |
- ნვ. |
μC |
|
თსს |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
- ნვ. |
504 |
- ნვ. |
n |
|
ტრ |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
183 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტდ (((გამოხურული) |
გამორთვის დაგვიანების დრო |
- ნვ. |
616 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტფ |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
188 |
- ნვ. |
n |
|
|
ეონ |
ჩართვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
126 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
ეოფ |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
89 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
თსს |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
- ნვ. |
506 |
- ნვ. |
n |
|
ტრ |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
194 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტდ (((გამოხურული) |
გამორთვის დაგვიანების დრო |
- ნვ. |
704 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტფ |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
352 |
- ნვ. |
n |
|
|
ეონ |
ჩართვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
162 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
ეოფ |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
124 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
თსს |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
- ნვ. |
510 |
- ნვ. |
n |
|
ტრ |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
198 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტდ (((გამოხურული) |
გამორთვის დაგვიანების დრო |
- ნვ. |
727 |
- ნვ. |
n |
|
|
ტფ |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
429 |
- ნვ. |
n |
|
|
ეონ |
ჩართვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
174 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
ეოფ |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
132 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
- ნვ. ISC |
- ნვ. ს.კ. მონაცემები |
tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V |
- ნვ. |
- ნვ. 1440 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
|
- ნვ. vf |
დიოდი წინ ძაბვა |
if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc |
- ნვ. |
1.87 |
2.32 |
- ნვ. v |
|
if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc |
- ნვ. |
2.00 |
- ნვ. |
|||
|
if=450A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc |
- ნვ. |
2.05 |
- ნვ. |
|||
|
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=25oc |
- ნვ. |
107 |
- ნვ. |
μC |
|
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
519 |
- ნვ. |
a |
|
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
75 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc |
- ნვ. |
159 |
- ნვ. |
μC |
|
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
597 |
- ნვ. |
a |
|
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
113 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
vr=900V,If=450A, -di/dt=3000A/μs,Vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc |
- ნვ. |
170 |
- ნვ. |
μC |
|
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
- ნვ. |
611 |
- ნვ. |
a |
|
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენაენერგია |
- ნვ. |
119 |
- ნვ. |
mJ |
მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეული |
|
- ნვ.c |
ცარიელი ინდუქტენტობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
20 |
nH |
|
rCC+EE |
მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე |
- ნვ. |
0.35 |
- ნვ. |
mΩ |
|
rthJC |
კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ) კვანძები (D-ზე)იოდი) |
- ნვ. |
- ნვ. |
0.056 0.112 |
კვ/ვ |
|
- ნვ. rthCH |
კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი) კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული) |
- ნვ. |
0.105 0.210 0.035 |
- ნვ. |
კვ/ვ |
|
m |
ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6 |
2.5 3.0 |
- ნვ. |
5.0 5.0 |
n.m |
|
g |
წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული |
- ნვ. |
300 |
- ნვ. |
g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
