ყველა კატეგორია

1200 ვოლტი

1200 ვოლტი

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / 1200 ვოლტი

GD400SGU120C2S

IGBT მოდული,1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGU120C2S
  • შესავალი
შესავალი

მახასიათებლები

  • NPT IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • დაბალი გადასვლის დანაკარგები
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • გამორთვის რეჟიმის ენერგიის წყარო
  • ინდუქციური გათბობა
  • ელექტრონული შედუღებელი

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

IGBT

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

VCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

VGES

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

IC

კოლექტორის დენი @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a

ICM

პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

800

a

PD

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T = 150oC

2659

w

დიოდი

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

VRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

თუ

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

a

თუმ

დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

800

a

მოდული

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

Tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

oC

ტჟოპ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

oC

TSTG

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oC

VISO

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vCE ((sat)

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=25oc

- ნვ.

2.90

3.35

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.t=125oc

- ნვ.

3.60

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები()

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.16.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტ=25oc

4.5

5.5

6.5

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,t=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.6

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

26.0

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.70

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

4.2

- ნვ.

μC

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,კალენდარიrg=2.2Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.t=25oc

- ნვ.

76

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

57

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

529

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

73

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

5.2

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

23.2

- ნვ.

mJ

t(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,rg=2.2Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.t=- ნვ.125oc

- ნვ.

81

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

62

- ნვ.

n

t(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

567

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

81

- ნვ.

n

თეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

9.9

- ნვ.

mJ

გათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

31.7

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

t≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

t=125oC,VCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

2800

- ნვ.

- ნვ.

a

დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=25oc

- ნვ.

1.96

2.31

v

if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,T=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.98

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიt=25oc

- ნვ.

24.9

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

317

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

16.0

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.t=- ნვ.125oc

- ნვ.

35.5

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

391

- ნვ.

a

რეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

21.4

- ნვ.

mJ

- ნვ.

- ნვ.

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდული Lead Resistaთმალალთ ნა ქპს

- ნვ.

0.18

- ნვ.

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.047

0.100

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

კეისზე-თბოსინქზე (თითოდიოდის)

კეისზე-თბოსინქზე (თითო Mოდულის)

- ნვ.

0.015

0.031

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000