1700V

სიმბოლო

აღწერა

GD400SGT170C2S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25°C

@ ტc=80°C

700

a

400

icm(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

800

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარექირაობა

800

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ Tჯ=- ნვ.175°C

3000

w

tsc

მოკლე ჩართვის გამძლეობის დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

i2t-ღირებულება,დიოდი

vr=0V,t=10ms,Tჯ=125°C

25500

a2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

- ნვ.

მონტაჟის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M4

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

1.1 დან- ნვ.2.0

2.5 დან- ნვ.5.0

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

3.0-დან- ნვ.5.0

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

v(BR)CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.ic=- ნვ.14mA,tჯ=25°C

1700

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

3.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=- ნვ.16mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,tჯ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

2.00

2.45

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.40

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=900V,Ic=400A,

- ნვ.

278

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15- ნვ.v,

- ნვ.

81

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

tჯ=25°C

- ნვ.

802

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

vCC=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15- ნვ.v,tჯ=25°C

- ნვ.

119

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

104

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

86

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15- ნვ.v,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

302

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

99

- ნვ.

n

td(off)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1002

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

198

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

136

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

124

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

36

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.5

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.2

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=125°CVCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

1600

- ნვ.

- ნვ.

a

rგინტი

შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი

- ნვ.

- ნვ.

1.9

- ნვ.

Ω

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE- ნვ.''

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობაc- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C

- ნვ.

0.18

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.80

2.20

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

1.90

- ნვ.

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

if=400A,

vr=900- ნვ.v,

di/dt=-4250A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

99

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

172

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

441

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

478

- ნვ.

ერეკ

უკანასკნელი  აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

53

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

97

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

IGBT ნაწილები, PEr მოდული)

- ნვ.

0.05

კვ/ვ

rθჟ.კ.

შეხება (დიოდების ნაწილი, თითოეული მოდულის მიხედვით)ე)

- ნვ.

0.09

კვ/ვ

rθCS

კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი)

0.035

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

300

- ნვ.

g