1200 ვოლტი

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=90oc

595

400

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms

800

a

პდ

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ Tჯ=175oc

1875

w

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

400

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი tპ=1ms

800

a

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=25oc

- ნვ.

1.75

2.20

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=125oc

- ნვ.

2.00

- ნვ.

ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,tჯ=150oc

- ნვ.

2.05

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.10.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტჯ=25oc

5.2

6.0

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

0.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

37.3

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

1.04

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

2.80

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,კალენდარიrg=2.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

205

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

77

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

597

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

98

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

18.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

32.3

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,კალენდარიrg=2.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

214

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

86

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

626

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

137

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

28.4

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

48.9

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=400A,კალენდარიrg=2.0Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

198

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

94

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

646

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

147

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

30.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

53.8

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.15V,

tჯ=150oC,VCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

1440

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.75

2.15

- ნვ.

v

if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

if=400A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.65

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc

- ნვ.

40

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

299

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

20.0

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

70

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

399

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

38.4

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=600 ვოლტი,If=400A,

-di/dt=5000A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

80

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

419

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

43.9

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

15

- ნვ.

nH

rCC+EE

მოდული Lead Resistaთმალალთ ნა ქპს

- ნვ.

0.25

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.080

0.095

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.037

0.044

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g