მახასიათებლები
ტიპური გამოყენებები
- ნვ.
IGBT- ნვ.tc=25°C- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები
- ნვ.
|
სიმბოლო |
აღწერა |
GD400CUT170C2S |
ერთეულები |
|
vCES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა @ Tჯ=25°C |
1700 |
v |
|
vგენერალური საწვავის სისტემა |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
v |
|
ic |
კოლექტორის დენი @ Tc=25°C @ ტc=80°C |
650 400 |
a |
|
icm |
პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms |
800 |
a |
|
პtot |
სრული ენერგიის გაფანტვა@ ტჯ=- ნვ.150°C |
2403 |
w |
|
tsc |
მოკლე წრე გაუძლოს დრო @ Tჯ=150°C |
10 |
μs |
გარეთ მახასიათებლები
- ნვ.
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
|
v(BR)CES |
კოლექტორი-გამომავალი გამორთვის ძაბვა |
tჯ=25°C |
1700 |
- ნვ. |
- ნვ. |
v |
|
iCES |
კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე |
vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
- ნვ. |
3.0 |
mA |
|
iგენერალური საწვავის სისტემა |
კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი მიმდინარე |
vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
- ნვ. |
400 |
nA |
მახასიათებლების შესახებ
- ნვ.
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
|
vგენერალური საწარმოები(თ) |
ღობე-გამომცემის ზღვარი ძაბვა |
ic=- ნვ.16mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,tჯ=25°C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
v |
|
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) |
- ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა |
ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
2.00 |
2.45 |
- ნვ. - ნვ. v |
|
ic=400A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
2.40 |
- ნვ. |
მახასიათებლების შეცვლა
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
||
|
tდ(თეთრი) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. vCC=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15V,tჯ=25°C |
- ნვ. |
278 |
- ნვ. |
n |
||
|
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
81 |
- ნვ. |
n |
|||
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
802 |
- ნვ. |
n |
|||
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
119 |
- ნვ. |
n |
|||
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი |
- ნვ. |
104 |
- ნვ. |
mJ |
|||
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვის დანაკარგი |
- ნვ. |
86 |
- ნვ. |
mJ |
|||
|
tდ(თეთრი) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
vCC=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
302 |
- ნვ. |
n |
||
|
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
99 |
- ნვ. |
n |
|||
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
1002 |
- ნვ. |
n |
|||
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
198 |
- ნვ. |
n |
|||
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლა დაკარგვა |
vCC=900V,Ic=400A,rg=3.6Ω,Vგენერალური საწარმოები=- ნვ.±15V,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
136 |
- ნვ. |
mJ |
||
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვა დაკარგვა |
- ნვ. |
124 |
- ნვ. |
mJ |
|||
|
cივ |
შეყვანის სიმძლავრე |
- ნვ. vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V |
- ნვ. |
36 |
- ნვ. |
ფ |
||
|
coes |
გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
1.5 |
- ნვ. |
ფ |
|||
|
cres |
საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
1.2 |
- ნვ. |
ფ |
|||
|
rგინტი |
შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი |
- ნვ. |
- ნვ. |
1.9 |
- ნვ. |
Ω |
||
|
- ნვ. isc |
- ნვ. ს.კ. მონაცემები |
tპ- ნვ.≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,კალენდარიtჯ=125°CVCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V |
- ნვ. |
- ნვ. 1600 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
||
- ნვ.
- ნვ.
დიოდი- ნვ.tc=25°C- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები
- ნვ.
|
სიმბოლო |
აღწერა |
GD400CUT170C2S |
ერთეულები |
|
vRRM |
გამეორებითი პიკის საპირისპირო ძაბვა @ Tj=25°C |
1700 |
v |
|
if |
DC წინასწარი დენი @ Tc=80°C |
100 |
a |
|
iFRM |
განმეორებადი პიკის წინასწარი დენი tპ=1ms |
200 |
a |
|
i2t |
i2t-მნიშვნელობა,Vr=0V,Tპ=10ms,Tჯ=125°C |
1800 |
a2s |
მახასიათებლები ღირებულებები
- ნვ.
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
|
|
vf |
დიოდი წინ ძაბვა |
if=- ნვ.100A,Vგენერალური საწარმოები=0V |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
1.80 |
2.20 |
v |
|
tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
1.90 |
- ნვ. |
||||
|
qr |
დიოდი საპირისპირო აღდგენის გადასახადი |
- ნვ. if=- ნვ.100A, vr=900 ვოლტი, di/dt=-2450A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
29.0 |
- ნვ. |
μC |
|
tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
48.5 |
- ნვ. |
||||
|
- ნვ. iRM |
დიოდის პიკი საპირისპირო აღდგენა- ნვ.მიმდინარე |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
155 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
|
|
tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
165 |
- ნვ. |
||||
|
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
15.5 |
- ნვ. |
mJ |
|
|
tჯ=- ნვ.125°C |
- ნვ. |
27.5 |
- ნვ. |
||||
IGBT მოდული
- ნვ.
|
სიმბოლო |
პარამეტრი |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
|
vიზო |
იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ |
- ნვ. |
2500 |
- ნვ. |
v |
|
- ნვ.c |
ცარიელი ინდუქტენტობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
20 |
nH |
|
rCC+EE- ნვ.'' |
მოდულ ჟრანთჟკა, თმნალთ ნა ჟპჟკა- ნვ.@ ტc=25°C |
- ნვ. |
0.35 |
- ნვ. |
mΩ |
|
- ნვ. - ნვ. rθჟ.კ. |
კერ-კეს-კეს (IGBT ინვერტორი,მდე)- ნვ.1/2 მოდილ) |
- ნვ. |
- ნვ. |
0.052 |
- ნვ. - ნვ. კვ/ვ |
|
კერ-კეს-კეს (დიოდების საბრკოლე მოჭრის მოწყობილობა- ნვ.1/2 მოდული) |
- ნვ. |
- ნვ. |
0.280 |
||
|
rθCS |
კასის-სანკში (საკონდუქციო ცხიმი aპლიდი) |
- ნვ. |
0.035 |
- ნვ. |
კვ/ვ |
|
tჯ |
მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
- ნვ. |
150 |
- ნვ. |
°C |
|
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი |
-40 |
- ნვ. |
125 |
°C |
|
დამონტაჟება ბრუნვის მომენტი |
ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M6 |
2.5 |
- ნვ. |
5.0 |
n.m |
|
დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6 |
3.0 |
- ნვ. |
5.0 |
||
|
g |
წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული |
- ნვ. |
300 |
- ნვ. |
g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
