ყველა კატეგორია

1200 ვოლტი

1200 ვოლტი

მთავარი გვერდი / პროდუქტები / IGBT მოდული / 1200 ვოლტი

GD300SGY120C2S

IGBT მოდული,1200V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300SGY120C2S
  • შესავალი
შესავალი

მახასიათებელი

  • დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

ტიპიური- ნვ.განაცხადები

  • ინვერტორი ძრავის წამყვანი
  • ცვლადი და ცალკეული დენის სერვოძრავის გამაძლიერებელი
  • უწყვეტი დენის მიწოდება

აბსოლუტური- ნვ.მაქსიმალური- ნვ.რეიტინგები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

IGBT

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=100oc

480

300

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი t=1ms

600

a

მაქსიმალური სიმძლავრის გაფანტვა @ T=175oc

1613

w

დიოდი

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

vRRM

განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

v

if

დიოდი უწყვეტი წინქირაობა

300

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t=1ms

600

a

მოდული

- ნვ.

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულება

ერთეული

tjmax

მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

oc

tჯოპი

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

oc

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურადიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

oc

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1მნ

4000

v

IGBT- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

VCE (სატ)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

- ნვ.

1.70

2.15

- ნვ.

- ნვ.

v

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

- ნვ.

1.95

- ნვ.

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

- ნვ.

2.00

- ნვ.

VGE ((თ)

ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC=7.50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

v

ICES

კოლექტორის გათიშვა

მიმდინარე

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

IGES

გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

RGint

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

- ნვ.

- ნვ.

2.5

- ნვ.

Ω

კაი

შეყვანის სიმძლავრე

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

- ნვ.

31.1

- ნვ.

NF

კრეს

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.87

- ნვ.

NF

სათაო ოფისი

კარიბჭის გადასახადი

VGE=- 15...+15V

- ნვ.

2.33

- ნვ.

μC

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=25oC

- ნვ.

182

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

54

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

464

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

72

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

10.6

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

25.8

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=125oC

- ნვ.

193

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

54

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

577

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

113

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

16.8

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

38.6

- ნვ.

mJ

თსს

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

VCC=600V,IC=300A,RG=1.3Ω,VGE=±15V,Tj=150oC

- ნვ.

203

- ნვ.

n

ტრ

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

54

- ნვ.

n

ტდ (((გამოხურული)

გამორთვის დაგვიანების დრო

- ნვ.

618

- ნვ.

n

ტფ

შემოდგომის დრო

- ნვ.

124

- ნვ.

n

ეონ

ჩართვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

18.5

- ნვ.

mJ

ეოფ

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

43.3

- ნვ.

mJ

- ნვ.

ISC

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

- ნვ.

- ნვ.

1200

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.

- ნვ.დიოდი- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

VF

დიოდი წინ

ძაბვა

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

- ნვ.

1.65

2.10

- ნვ.

v

IF=300A,VGE=0V,Tj=125oC

- ნვ.

1.65

- ნვ.

IF=300A,VGE=0V,Tj=150oC

- ნვ.

1.65

- ნვ.

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj=25oC

- ნვ.

29

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

318

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

18.1

- ნვ.

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 125oC

- ნვ.

55

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

371

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

28.0

- ნვ.

mJ

Qr

აღდგენილი გადასახადი

VCC=600V,IF=300A,

-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V,Tj= 150oC

- ნვ.

64

- ნვ.

μC

IRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

390

- ნვ.

a

ერეკი

ენერგიის საპირისპირო აღდგენა

- ნვ.

32.8

- ნვ.

mJ

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

მოდული- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.tc=25oc- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

LCE

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

RCC+EE

მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

- ნვ.

0.35

- ნვ.

RthJC

შეხება კასესთან (IGBT-ის მიხედვით)

კოლოფიდან კოლოფამდე (დიოდების მიხედვით)

- ნვ.

- ნვ.

0.093

0.155

კვ/ვ

- ნვ.

RthCH

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (IGBT-ის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (დიოდის მიხედვით)

კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე (მოდულის მიხედვით)

- ნვ.

0.016

0.027

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური მობილური

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

მოდულის წონა

- ნვ.

300

- ნვ.

g

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000

დაკავშირებული პროდუქტი

პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

მიიღეთ ციტირება

მიიღეთ უფასო ციტირება

ნაჟ ოპვჟრჲპვნრა ღვ ჟვ ჲბჲდნვქ ჟ რვბ.
Email
სახელი
კომპანიის სახელი
გზავნილი
0/1000