1700V

სიმბოლო

აღწერა

ღირებულებები

ერთეული

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის დენი @ Tc=25oc

@ ტc=- ნვ.100oc

493

300

a

icm

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=1ms

600

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვაკალენდარიt- ნვ.=175oc

1829

w

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

1.85

2.20

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125oc

- ნვ.

2.25

- ნვ.

ic=300A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=150oc

- ნვ.

2.35

- ნვ.

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი- ნვ.ძაბვა

ic=- ნვ.12.0mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები, ტჯ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული

მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,

tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

1.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი- ნვ.მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,tჯ=25oc

- ნვ.

- ნვ.

400

nA

rგინტი

შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობათეატრალური

- ნვ.

- ნვ.

2.5

- ნვ.

Ω

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

vc=25V,f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

36.1

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

0.88

- ნვ.

NF

qg

კარიბჭის გადასახადი

vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

2.83

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=300A,კალენდარიrg=2.4Ω,

vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25oc

- ნვ.

204

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

48

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

595

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

100

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

69.3

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

63.3

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=300A,კალენდარიrg=2.4Ω

Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

224

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

55

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

611

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

159

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

96.8

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

99.0

- ნვ.

mJ

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=900V,Ic=300A,კალენდარიrg=2.4Ω

Vგენერალური საწარმოები=±15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

240

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

55

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

624

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

180

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლა

დაკარგვა

- ნვ.

107

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვა

დაკარგვა

- ნვ.

105

- ნვ.

mJ

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tპ≤ 10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,

tჯ=150oC,VCC=- ნვ.1000V, VCEM≤1700V

- ნვ.

- ნვ.

1200

- ნვ.

- ნვ.

a

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

- ნვ.

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=25oc

- ნვ.

1.80

2.25

- ნვ.

v

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.125oc

- ნვ.

1.90

- ნვ.

if=300A,Vგენერალური საწარმოები=0V,Tჯ=- ნვ.150oc

- ნვ.

1.95

- ნვ.

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=25oc

- ნვ.

55

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

297

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

32.2

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=125oc

- ნვ.

116

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

357

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

68.2

- ნვ.

mJ

qr

აღდგენილი გადასახადი

vr=900V,If=300A,

-di/dt=5400A/μs,Vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტიtჯ=150oc

- ნვ.

396

- ნვ.

μC

iRM

პიკის საპირისპირო

აღდგენის დენი

- ნვ.

120

- ნვ.

a

ერეკ

საპირისპირო აღდგენაენერგია

- ნვ.

81.6

- ნვ.

mJ

სიმბოლო

პარამეტრი

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეული

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

20

nH

rCC+EE

მოდული Lead Resistaთმალალთ ნა ქპს

- ნვ.

0.35

- ნვ.

mΩ

rthJC

კვანძები (IGB-ის მიხედვით)ტ)

ჯუნქცია-კეისზე (თითო დიოდი)

- ნვ.

- ნვ.

0.082

0.129

კვ/ვ

- ნვ.

rthCH

კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

ქეის-დან-ჰეითსინკ (p)er დიოდი)

კეისზე-თბოსინქზე (თითომოდული)

- ნვ.

0.033

0.051

0.010

- ნვ.

კვ/ვ

m

ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი,- ნვ.მუხრუჭი M6- ნვ.დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა,- ნვ.მუხრუჭი M6

2.5

3.0

- ნვ.

5.0

5.0

n.m

g

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

- ნვ.

300

- ნვ.

g