მახასიათებლები
დაბალი- ნვ.vCE ((sat)- ნვ.SPT+ IGBT ტექნოლოგია
10μs- ნვ.კороткое ჩართვის შესაძლებლობა
vCE ((sat)- ნვ.დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
დაბალი ინდუქტენტობა- ნვ.შემთხვევა
სწრაფი &- ნვ.მძიმე უკუკავშირი ანტიპარალელური FWD
იზოლირებული სპილენძი ბაზაპლატფორმა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით
ტიპიური- ნვ.განაცხადები
AC ინვერტორი- ნვ.მუხრუჭები
გადართვის რეჟიმის სიმძლავრე- ნვ.მომარაგება
ელექტრონული შედუღების აპარატები
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგებიtc=25°C- ნვ.თუ სხვაგვარად არ არის აღნიშნულინაწერი
- ნვ.
სიმბოლო |
აღწერა |
GD1600SGL120C3S |
ერთეულები |
vCES |
კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1200 |
v |
vგენერალური საწვავის სისტემა |
ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
v |
ic |
@ ტc=25°C @ ტc=80°C |
2500 |
a |
1600 |
|||
iCM(1) |
პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms |
3200 |
a |
if |
დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი |
1600 |
a |
iFM |
დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი |
3200 |
a |
პდ |
მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @tჯ=150°C |
8.3 |
კვ |
tsc |
მოკლე წრე გაუძლოს დრო @ Tჯ=125°C |
10 |
μs |
tჯ |
მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
150 |
°C |
tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი |
-40 დან- ნვ.+125 |
°C |
i2t-მნიშვნელობა, დიოდი |
vr=0V,t=10ms,Tჯ=125°C |
300 |
KA2s |
vიზო |
იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
v |
დამონტაჟება ბრუნვის მომენტი |
ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.შრიფტი:M4 ელექტროენერგიის ტერმინალი- ნვ.ბოლტი:M8 |
1.8 დან- ნვ.2.1 8.0 დან- ნვ.10 |
n.m |
დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6 |
4.25 to- ნვ.5.75 |
n.m |
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
ელექტრონული მახასიათებლები- ნვ.IGBTtc=25°C- ნვ.თუ სხვაგვარად არ არის აღნიშნული
გარეთ მახასიათებლები
- ნვ.
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
BV- ნვ.CES |
კოლექტორი-გამომავალი გამორთვის ძაბვა |
tჯ=25°C |
1200 |
- ნვ. |
- ნვ. |
v |
iCES |
კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე |
vc=VCESVგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
- ნვ. |
5.0 |
mA |
iგენერალური საწვავის სისტემა |
კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი მიმდინარე |
vგენერალური საწარმოები=Vგენერალური საწვავის სისტემაVc=0V,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
- ნვ. |
400 |
nA |
მახასიათებლების შესახებ
- ნვ.
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
vGE(th) |
ღობე-გამომცემის ზღვარი ძაბვა |
ic=64mA,Vc=Vგენერალური საწარმოები,- ნვ.tჯ=25°C |
5.0 |
6.2 |
7.0 |
v |
- ნვ. - ნვ. vCE ((sat) |
- ნვ. შემგროვებელი გამცემი გამსჭვალვის ძაბვა |
ic=1600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C |
- ნვ. |
1.8 |
- ნვ. |
- ნვ. - ნვ. v |
ic=1600A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=125°C |
- ნვ. |
2.0 |
- ნვ. |
გამორთვის ხასიათიისტიკა
- ნვ.
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
qგენერალური საწარმოები |
კარიბჭის გადასახადი |
vგენერალური საწარმოები=-15...+15 ვოლტი |
- ნვ. |
16.8 |
- ნვ. |
μC |
td(on) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. vCC=600 ვოლტი,Ic=1600A,- ნვ. rg=0.82Ω, vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=25°C |
- ნვ. |
225 |
- ნვ. |
n |
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
105 |
- ნვ. |
n |
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
1100 |
- ნვ. |
n |
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
100 |
- ნვ. |
n |
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი |
- ნვ. |
148 |
- ნვ. |
mJ |
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვის დანაკარგი |
- ნვ. |
186 |
- ნვ. |
mJ |
|
td(on) |
ჩართვის შეფერხების დრო |
- ნვ. - ნვ. vCC=600 ვოლტი,Ic=1600A,- ნვ. rg=0.82Ω, vგენერალური საწარმოები=±15V,Tჯ=125°C |
- ნვ. |
235 |
- ნვ. |
n |
tr |
ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
- ნვ. |
105 |
- ნვ. |
n |
|
tდ(გათიშული) |
გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო |
- ნვ. |
1160 |
- ნვ. |
n |
|
tf |
შემოდგომის დრო |
- ნვ. |
105 |
- ნვ. |
n |
|
ეთეთრი |
ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი |
- ნვ. |
206 |
- ნვ. |
mJ |
|
ეგათიშული |
გამორთვის გადართვის დანაკარგი |
- ნვ. |
239 |
- ნვ. |
mJ |
|
cივ |
შეყვანის სიმძლავრე |
- ნვ. vc=25V,f=1MHz, vგენერალური საწარმოები=0V |
- ნვ. |
119 |
- ნვ. |
NF |
coes |
გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
8.32 |
- ნვ. |
NF |
|
cres |
საპირისპირო გადაცემა გამტარუნარიანობა |
- ნვ. |
5.44 |
- ნვ. |
NF |
|
- ნვ. isc |
- ნვ. ს.კ. მონაცემები |
tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,კალენდარი tჯ=125°C, vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM- ნვ.≤1200 ვოლტი |
- ნვ. |
- ნვ. 7000 |
- ნვ. |
- ნვ. a |
rგინტი |
შიდა კარიბჭის რეზისიტანსი |
- ნვ. |
- ნვ. |
0.1 |
- ნვ. |
Ω |
- ნვ.c |
ცარიელი ინდუქტენტობა |
- ნვ. |
- ნვ. |
12 |
- ნვ. |
nH |
rCC+EE'' |
მოდული Lead Resistance,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე |
tc=25°C |
- ნვ. |
0.19 |
- ნვ. |
mΩ |
- ნვ.
- ნვ.
- ნვ.
ელექტრო- ნვ.მახასიათებლები- ნვ.თეთრი- ნვ.დიოდი- ნვ.tc=25°C- ნვ.თუკი- ნვ.სხვაგვარად- ნვ.აღინიშნა
- ნვ.
სიმბოლო |
პარამეტრი |
გამოცდის პირობები |
მინ. |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
|
vf |
დიოდი წინ ძაბვა |
if=1600A |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
2.1 |
- ნვ. |
v |
tჯ=125°C |
- ნვ. |
2.2 |
- ნვ. |
||||
qr |
აღდგენილი გადასახადი |
- ნვ. if=1600A, vr=600V, di/dt=-7500A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები=-15 ვოლტი |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
73 |
- ნვ. |
μC |
tჯ=125°C |
- ნვ. |
175 |
- ნვ. |
||||
iRM |
პიკის საპირისპირო აღდგენის დენი |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
510 |
- ნვ. |
a |
|
tჯ=125°C |
- ნვ. |
790 |
- ნვ. |
||||
ერეკ |
საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია |
tჯ=25°C |
- ნვ. |
17 |
- ნვ. |
mJ |
|
tჯ=125°C |
- ნვ. |
46 |
- ნვ. |
- ნვ.
თერმული მახასიათებლები
- ნვ.
სიმბოლო |
პარამეტრი |
თპ. |
მაქს. |
ერთეულები |
rθJC |
Junction-to-Case (IGBT ნაწილი, თითომოდული) |
- ნვ. |
15 |
K/kW |
rθJC |
Junction-to-Case (დიოდის ნაწილი, თითო Mოდულის) |
- ნვ. |
26 |
K/kW |
rθCS |
კასე-დან-სანკამდე (კონდუქტიური ზეთი გამოყენებულია, per მოდული) |
6 |
- ნვ. |
K/kW |
წონა |
წონა- ნვ.მოდული |
1500 |
- ნვ. |
g |
- ნვ.
ნაქთრვ პვფჲნალთწ ჟჲპკარა ჟლვეარ ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.