1200 ვოლტი

სიმბოლო

აღწერა

GD1200SGL120C3S

ერთეულები

vCES

კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

v

vგენერალური საწვავის სისტემა

ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

v

ic

კოლექტორის მიმდინარე

@ ტc=25°C

@ ტc=- ნვ.100°C

1900

a

1200

icm(1)

პულსირებული კოლექტორის დენი tპ=- ნვ.1ms

2400

a

if

დიოდის მუდმივი წინამავალი დენი

1200

a

iFM

დიოდის მაქსიმალური წინასწარი მიმდინარექირაობა

2400

a

პდ

მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა    @ Tჯ=- ნვ.175°C

8823

w

tsc

მოკლე წრე გაუძლოს დრო @ Tჯ=125°C

10

μs

tჯ

მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

°C

tსისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

i2t-მნიშვნელობა, დიოდი

vr=0V, t=10ms, Tჯ=125°C

300

KA2s

vიზო

იზოლაციის ძაბვა RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

დამონტაჟება

ბრუნვის მომენტი

გამართვის ტერმინალის შრიალი:M4

ენერგიის ტერმინალის ხრახნი:M8

1.7 დან- ნვ.2.3

8.0 დან- ნვ.10

n.m

დამონტაჟება- ნვ.შრიფტი:M6

4.25 to- ნვ.5.75

n.m

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

BV- ნვ.CES

კოლექტორი-გამომავალი

გამორთვის ძაბვა

tჯ=25°C

1200

- ნვ.

- ნვ.

v

iCES

კოლექციონერი- ნვ.გადაჭრილი- ნვ ჱნამ.გათიშული- ნვ.მიმდინარე

vc=vCES,vგენერალური საწარმოები=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

5.0

mA

iგენერალური საწვავის სისტემა

კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი

მიმდინარე

vგენერალური საწარმოები=vგენერალური საწვავის სისტემა,vc=0V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

- ნვ.

800

nA

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vგენერალური საწარმოები(თ)

ღობე-გამომცემის ზღვარი

ძაბვა

ic=48.0mA,vc=vგენერალური საწარმოები,tჯ=25°C

5.0

6.5

7.0

v

- ნვ.

- ნვ.

vCE ((sat)

- ნვ.

შემგროვებელი გამცემი

გამსჭვალვის ძაბვა

ic=- ნვ.1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

1.9

- ნვ.

- ნვ.

- ნვ.

v

ic=- ნვ.1200A,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი,- ნვ.tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.1

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rგინტი

შიდა კარიბჭის რეზისტორი

tჯ=25°C

- ნვ.

1.2

- ნვ.

Ω

qგენერალური საწარმოები

კარიბჭის გადასახადი

ic=- ნვ.1200A,Vc=600V,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15…+15V

- ნვ.

12.5

- ნვ.

μC

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

vCC=600 ვოლტი,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=- ნვ.±15V,- ნვ.tჯ=25°C

- ნვ.

790

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

170

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1350

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

180

- ნვ.

n

tდ(თეთრი)

ჩართვის შეფერხების დრო

- ნვ.

- ნვ.

vCC=600 ვოლტი,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,Vგენერალური საწარმოები- ნვ.=±15- ნვ.v,- ნვ.

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

850

- ნვ.

n

tr

ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

- ნვ.

170

- ნვ.

n

tდ(გათიშული)

გამორთვა- ნვ.დაყოვნების დრო

- ნვ.

1500

- ნვ.

n

tf

შემოდგომის დრო

- ნვ.

220

- ნვ.

n

ეთეთრი

ჩართვა- ნვ.გადასვლის დანაკარგი

- ნვ.

155

- ნვ.

mJ

ეგათიშული

გამორთვის გადართვის დანაკარგი

- ნვ.

190

- ნვ.

mJ

cივ

შეყვანის სიმძლავრე

- ნვ.

vc=25V, f=1MHz,

vგენერალური საწარმოები=0V

- ნვ.

92.0

- ნვ.

NF

coes

გამოსავალი გამტარუნარიანობა

- ნვ.

8.40

- ნვ.

NF

cres

საპირისპირო გადაცემა

გამტარუნარიანობა

- ნვ.

6.10

- ნვ.

NF

- ნვ.

isc

- ნვ.

ს.კ. მონაცემები

tsc≤10μs,Vგენერალური საწარმოები=15 ვოლტი, - ნვ.tჯ=125°C,

vCC=900 ვოლტი,- ნვ.vCEM≤1200 ვოლტი

- ნვ.

- ნვ.

7000

- ნვ.

- ნვ.

a

- ნვ.c

ცარიელი ინდუქტენტობა

- ნვ.

- ნვ.

15

- ნვ.

nH

rCC+EE- ნვ.''

მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობაე,- ნვ.ტერმინალი ჩიპზე

tc=25°C,თვითონ გადართვაზე

- ნვ.

0.10

- ნვ.

mΩ

სიმბოლო

პარამეტრი

გამოცდის პირობები

მინ.

თპ.

მაქს.

ერთეულები

vf

დიოდი წინ

ძაბვა

if=- ნვ.1200A

tჯ=25°C

- ნვ.

1.9

- ნვ.

v

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

2.1

- ნვ.

qr

დიოდი საპირისპირო

აღდგენის გადასახადი

- ნვ.

if=- ნვ.1200A,

vr=600V,

di/dt=-6800A/μs,- ნვ.vგენერალური საწარმოები- ჟრანთ.- ნვ.15 ვოლტი

tჯ=25°C

- ნვ.

110

- ნვ.

μC

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

220

- ნვ.

- ნვ.

iRM

დიოდის პიკი

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.მიმდინარე

tჯ=25°C

- ნვ.

760

- ნვ.

- ნვ.

a

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

990

- ნვ.

ერეკ

საპირისპირო აღდგენა- ნვ.ენერგია

tჯ=25°C

- ნვ.

47

- ნვ.

mJ

tჯ=- ნვ.125°C

- ნვ.

82

- ნვ.

სიმბოლო

პარამეტრი

თპ.

მაქს.

ერთეულები

rθჟ.კ.

IGBT ნაწილები, PEr მოდული)

- ნვ.

0.017

კვ/ვ

rθჟ.კ.

Junction-to-Case (Diode Part, per Moduლ)

- ნვ.

0.025

კვ/ვ

rθCS

კასე-დან-სანკამდე

(კონდუქტიური ცხიმი გამოყენებულია, შესაბამისადმოდული)

0.006

- ნვ.

კვ/ვ

წონა

წონა- ნვ.თეთრი- ნვ.მოდული

1500

- ნვ.

g