Y50KFG,非対称高速ターンオフサイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

T j (℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

わかった T (エーブイ )

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却

T C =55℃

125

1200

A について

T C =70℃

125

1000

A について

v DRM

繰り返す ピークオフ状態電圧

tp=10ms

125

2000

3000

v

v RRM

繰り返す ピーク逆電圧

1000

2500

わかった DRM /IRRM

繰り返す ピーク電流

Vで DRM /VRRM

125

80

mA

わかった ターミナル・マスク

サージオン状態電流

10ms 半正弦波 波 v r =0.6 v RRM

125

16

kA

わかった 2T

わかった 2T for 融合 調整

1280

103A について 2s

v オー

限界電圧

125

1.55

v

r T

オン状態スロープ抵抗

0.40

mΩ

v ティム

ピークオン状態電圧

わかった ティム =3000A、 F=24kN

20≤ Tq ≤ 35

25

2.80

v

36≤ Tq ≤ 60

2.60

v

61≤ Tq ≤ 75

2.40

v

dv/dt

臨界上昇率 オフ状態の 圧力は

v DM =0.67 v DRM

125

1000

V/μs

di/dt

臨界上昇率 臨界上昇率 現在 （非反復）

v DM = 67% v DRM オー 1600A,

ゲートパルスt r ≤0.5μs わかった GM =1.5A

125

1500

A/μs

Q ロープ

リカバリーチャージ

わかった ティム =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs、 v r =100V

125

750

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

わかった ティム =1000A ,tp=4000µs, V r =100V dv/dt=30V/µs ,di/dt=-20A/µs

100

20

75

µs

わかった 総額

ゲートトリガ電流

v A について =12V、 わかった A について =1A

25

40

300

mA

v 総額

ゲートトリガ電圧

0.9

3.0

v

わかった H

ホールディング電流

20

500

mA

わかった L

ラッチ電流

500

mA

v GD

非トリガゲート電圧

v DM =67% v DRM

125

0.3

v

r TH (j-c)

熱的 抵抗 接合からケースまで

両面 冷却 クランプ力 24kN

0.020

°C /W

r TH (c-h)

熱的 抵抗 ケースから ヒートシンク

0.005

F m

取り付け力

19

26

KN

T vj

接合温度

-40

125

°C

T STG

保存温度

-40

140

°C

W について T

重量

440

g

概要

KT50cT