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1700V 2400A
簡潔な紹介
IGBT モジュール,H高電流IGBT モジュールCRRCによって製造された単一スイッチIGBTモジュール。1700V 2400A。
主要パラメータ
vCES | 1700 v |
v衛星 | (タイプ) 1.75 v |
わかったC | (マックス) 2400 A について |
わかったC(RM) | (マックス) 4800 A について |
典型的な用途
特徴
絶対値 最大 レーティング
(記号) | (パラメータ) | (試験条件) | (値) | (単位) |
総額 | 集合器-放出器の電圧 | V GE = 0V,Tvj = 25°C | 1700 | v |
V GES | ゲート・エミッター・ボルト |
| ± 20 | v |
I C | コレクタ-エミッタ電流 | T ケース = 100 °C, Tvj = 150 °C | 2400 | A について |
I C(PK) | ピークコレクタ電流 | tP = 1ms | 4800 | A について |
P max | マックス。 トランジスタの電力損失 | Tvj = 150°C, T ケース = 25 °C | 19.2 | KW |
I 2t | ダイオード I2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 1170 | kA2s |
Visol | 絶縁電圧 – モジュールごと | (基板に共通端子)、 AC RMS,1 分, 50Hz |
4000 |
v |
Q PD | 部分放電 – モジュールごと | IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS | 10 | PC |
電気的特性
Tcase = 25 °C T case = 25°C unless stated otherwise | ||||||||
(記号) | (パラメータ) | (試験条件) | (最小) | (典型) | (最大) | (単位) | ||
I CES |
コレクターの切断電流 | V GE = 0V, VCE = VCES |
|
| 1 | mA | ||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =125 °C |
|
| 40 | mA | ||||
V GE = 0V, VCE = VCES , T case =150 °C |
|
| 60 | mA | ||||
I GES | ゲート漏れ電流 | V GE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | 微分数 | ||
V GE (TH) | ゲート 限界電圧 | I C = 80mA, V GE = VCE | 5.0 | 6.0 | 7.0 | v | ||
VCE (sat) ((*1) |
コレクター・エミッター飽和度 圧力は | VGE =15V, IC = 2400A |
| 1.75 |
| v | ||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C |
| 1.95 |
| v | ||||
VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C |
| 2.05 |
| v | ||||
I F | ダイオード前流 | DC |
| 2400 |
| A について | ||
I FRM | ダイオード最大順方向電流 | t P = 1ms |
| 4800 |
| A について | ||
ポイントは, |
ダイオード前向き電圧 | IF = 2400A |
| 1.65 |
| v | ||
IF = 2400A, Tvj = 125 °C |
| 1.75 |
| v | ||||
IF = 2400A, Tvj = 150 °C |
| 1.75 |
| v | ||||
サイエス | 入力容量 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 400 |
| ロープ | ||
司令部 | ゲートチャージ | ±15V |
| 19 |
| 微分 | ||
クレス | 逆転移容量 | VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz |
| 3 |
| ロープ | ||
L M | モジュール誘導力 |
|
| 10 |
| nH | ||
R INT | 内部トランジスタ抵抗 |
|
| 110 |
| μΩ | ||
I SC |
短絡電流, ISC | Tvj = 150°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9 |
|
12000 |
|
A について | ||
消して | オフ遅延時間 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2320 |
| NS | ||
t f | 秋の時間 |
| 500 |
| NS | |||
E OFF | 切断時のエネルギー損失 |
| 1050 |
| mJ | |||
オン (オン) | オンする遅延時間 |
| 450 |
| NS | |||
について | 昇る時間 |
| 210 |
| NS | |||
エオン | オンする時のエネルギー損失 |
| 410 |
| mJ | |||
Qrr | ダイオード逆回復電荷 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 480 |
| 微分 | ||
I rr | ダイオード逆回復電流 |
| 1000 |
| A について | |||
エレック | ダイオード逆回復エネルギー |
| 320 |
| mJ | |||
消して | オフ遅延時間 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| NS | ||
t f | 秋の時間 |
| 510 |
| NS | |||
E OFF | 切断時のエネルギー損失 |
| 1320 |
| mJ | |||
オン (オン) | オンする遅延時間 |
| 450 |
| NS | |||
について | 昇る時間 |
| 220 |
| NS | |||
エオン | オンする時のエネルギー損失 |
| 660 |
| mJ | |||
Qrr | ダイオード逆回復電荷 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =10000A/us |
| 750 |
| 微分 | ||
I rr | ダイオード逆回復電流 |
| 1200 |
| A について | |||
エレック | ダイオード逆回復エネルギー |
| 550 |
| mJ | |||
消して | オフ遅延時間 |
I C = 2400A VCE = 900V L S ~ 50nH V GE = ±15V R G(ON) = 0.5Ω R G(OFF)= 0.5Ω |
| 2340 |
| NS | ||
t f | 秋の時間 |
| 510 |
| NS | |||
E OFF | 切断時のエネルギー損失 |
| 1400 |
| mJ | |||
オン (オン) | オンする遅延時間 |
| 450 |
| NS | |||
について | 昇る時間 |
| 220 |
| NS | |||
エオン | オンする時のエネルギー損失 |
| 820 |
| mJ | |||
Qrr | ダイオード逆回復電荷 |
I F = 2400A VCE = 900V diF/dt =12000A/us |
| 820 |
| 微分 | ||
I rr | ダイオード逆回復電流 |
| 1250 |
| A について | |||
エレック | ダイオード逆回復エネルギー |
| 620 |
| mJ |
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