IGBTモジュール 1700V

（記号）

（パラメータ）

（試験条件）

（値）

（単位）

総額

集合器-放出器の電圧

V GE = 0V, TC= 25。C

1700

v

V GES

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25。C

± 20

v

I C

コレクタ-エミッタ電流

TC = 80。C

800

A について

I C(PK)

ピークコレクタ電流

t P=1ms

1600

A について

P max

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150。C, TC = 25。C

6.94

KW

I 2t

ダイオード I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。C

120

kA2s

Visol

絶縁電圧 – モジュールごと

（基板に共通端子）、

AC RMS,1分, 50Hz,TC= 25。C

4000

v

Q PD

部分放電 – モジュールごと

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。C

10

PC

(シンボル)

(パラメータ)

（試験条件）

(ほんの少し)

(タイプ)

(マックス)

(ユニット)

I CES

コレクターの切断電流

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V,VCE = VCES,TC=125 °C

25

mA

I GES

ゲート漏れ電流

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

微分数

V GE (TH)

ゲート 限界電圧

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (sat) ((*1)

コレクタ-エミッタ飽和電圧

VGE=15V,IC=800A

2.30

2.60

v

VGE =15V,I C =800A,Tvj =125°C

2.80

3.10

v

I F

ダイオード前流

DCDC

800

A について

I FRM

ダイオード最大順方向電流

t P = 1ms

1600

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj = 125 °C

1.80

2.10

v

C ies

入力容量

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

ロープ

Q g

ゲートチャージ

±15V

9

微分

C res

逆転移容量

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

ロープ

L M

モジュール誘導力

20

nH

R INT

内部トランジスタ抵抗

270

μΩ

I SC

短絡電流, ISC

Tvj = 125°C,VCC = 1000V

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A について

消して

オフ遅延時間

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

秋の時間

220

NS

E OFF

切断時のエネルギー損失

220

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

320

NS

t r

昇る時間

190

NS

エオン

オンする時のエネルギー損失

160

mJ

Q rr

ダイオード逆回復電荷

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

510

A について

E rec

ダイオード逆回復エネルギー

180

mJ

消して

オフ遅延時間

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

秋の時間

280

NS

E OFF

切断時のエネルギー損失

290

mJ

オン (オン)

オンする遅延時間

400

NS

t r

昇る時間

250

NS

エオン

オンする時のエネルギー損失

230

mJ

Q rr

ダイオード逆回復電荷

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

微分

I rr

ダイオード逆回復電流

580

A について

E rec

ダイオード逆回復エネルギー

280

mJ