IGBTモジュール 1700V

YMIBD800-17,IGBTモジュール,デュアルスイッチIGBT,CRRC

1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

紹介
概要

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール cRRCによって製造されたシングルスイッチIGBTモジュール。1700V 1200A。

鍵 パラメータ

V CES	1700		V
V CE (衛星 )	（典型）	2.30	V
わかった C	(最大)	800	A について
わかった C(RM)	(最大)	1600	A について

典型的な アプリケーション

牽引駆動
Motor Controllers
風電力
高い可靠性インバーター

特徴

AlSiC ベース
AIN 基板
高い熱的サイクリング能力
10μ s 短く回路抵抗する
低 V cE (衛星 ) デバイス
高い現在密度

絶対値 最大 レーティング

（記号）	（パラメータ）	（試験条件）	（値）	（単位）
総額	集合器-放出器の電圧	V GE = 0V, TC= 25 。C	1700	V
V GES	ゲート・エミッター・ボルト	TC= 25 。C	± 20	V
I C	コレクタ-エミッタ電流	TC = 80 。C	800	A について
I C(PK)	ピークコレクタ電流	t P=1ms	1600	A について
P max	最大トランジスタ電力損失	Tvj = 150 。C, TC = 25 。C	6.94	kW
I 2t	ダイオード I 2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C	120	kA2s
Visol	絶縁電圧 – モジュールごと	（基板に共通端子）、 AC RMS,1分, 50Hz,TC= 25 。C	4000	V
Q PD	部分放電 – モジュールごと	IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C	10	pC

電気的特性

(シンボル )	(パラメータ )	（試験条件）	(ほんの少し )	(タイプ )	(マックス )	(ユニット )
I CES	コレクターの切断電流	VGE = 0V,VCE = VCES			1	mA
I CES	コレクターの切断電流	VGE = 0V,VCE = VCES,TC=125 °C			25	mA
I GES	ゲート漏れ電流	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	微分数
V GE (TH)	ゲート限界電圧	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	V
VCE (sat) ((*1)	コレクタ-エミッタ飽和電圧	VGE=15V,IC=800A		2.30	2.60	V
VCE (sat) ((*1)	コレクタ-エミッタ飽和電圧	VGE =15V,I C =800A,Tvj =125°C		2.80	3.10	V
I F	ダイオード前流	dC DC			800	A について
I FRM	ダイオード最大順方向電流	t P = 1ms			1600	A について
ポイントは,	ダイオード前向き電圧	I F = 800A		1.70	2.00	V
ポイントは,	ダイオード前向き電圧	I F = 800A, Tvj = 125 °C		1.80	2.10	V
C ies	入力容量	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		60		ロープ
Q g	ゲートチャージ	±15V		9		微分
C res	逆転移容量	VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz		-		ロープ
L M	モジュール誘導力			20		nH
R INT	内部トランジスタ抵抗			270		μΩ
I SC	短絡電流, ISC	Tvj = 125°C,VCC = 1000V V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		A について
消して	オフ遅延時間	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		nS
t f	秋の時間			220		nS
E OFF	切断時のエネルギー損失			220		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間			320		nS
t r	昇る時間			190		nS
エオン	オンする時のエネルギー損失			160		mJ
Q rr	ダイオード逆回復電荷	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		260		微分
I rr	ダイオード逆回復電流			510		A について
E rec	ダイオード逆回復エネルギー			180		mJ
消して	オフ遅延時間	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15V RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		nS
t f	秋の時間			280		nS
E OFF	切断時のエネルギー損失			290		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間			400		nS
t r	昇る時間			250		nS
エオン	オンする時のエネルギー損失			230		mJ
Q rr	ダイオード逆回復電荷	I F = 800A VCE = 900V diF/dt =4000A/us		420		微分
I rr	ダイオード逆回復電流			580		A について
E rec	ダイオード逆回復エネルギー			280		mJ