YMIBD500-33、IGBTモジュール、ダブルスイッチIGBT、CRRC

IGBTモジュール 3300V

YMIBD500-33,IGBTモジュール,ダブルスイッチIGBT,CRRC

3300V 500A

Brand:

CRRC

Spu:

試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

はじめに
概要

はじめに

簡潔な紹介

IGBT モジュール,高電圧IGBT、ダブルスイッチIGBTモジュール、CRRCによって製造。3300V 500A。

主要パラメータ

総額	3300 v
衛星の VCE (衛星)	（典型） 2.40 v
集積回路	(最大) 500 A について
IC(RM)	(最大) 1000 A について

典型的な用途

牽引駆動
Motor Controllers
スマートグリッド
高い可靠性インバーター

特徴

アルシク基
AIN基板
高温循環能力
10μs Short Circuit Withstand
低 VCE (衛星) 装置
高流密度

絶対値 最大 RAティング

（記号）	（パラメータ）	（試験条件）	（値）	（単位）
総額	集合器-放出器の電圧	V GE = 0V,Tvj = 25°C	3300	v
V GES	ゲート・エミッター・ボルト		± 20	v
I C	コレクタ-エミッタ電流	T ケース = 100 °C, Tvj = 150 °C	500	A について
I C(PK)	ピークコレクタ電流	1ms、Tケース = 140 °C	1000	A について
P max	最大トランジスタ電力損失	Tvj = 150°C, T ケース = 25 °C	5.2	KW
I 2t	ダイオード	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	80	kA2s
Visol	絶縁電圧 – モジュールごと	基板に共通端子を接続) AC RMS,1 分, 50Hz	6000	v
Q PD	部分放電 – モジュールごと	IEC1287 について V1 = 3500V,V2 = 2600V,50Hz RMS,TC = 25 °C	10	PC

電気特徴

T場合 = 25°C T 場合 = 25°C しない限り明らかにした違うなら
(シンボル)	（パラメータ）	（試験条件）	(ほんの少し)	(タイプ)	(マックス)	(ユニット)
わかった CES	コレクターの切断電流	v 遺伝子組み換え = 0V vCE = vCES			1	mA
		v 遺伝子組み換え = 0V vCE = vCES , T 場合 =125 °C			30	mA
		v 遺伝子組み換え = 0V vCE =vCES , T 場合 =150 °C			50	mA
わかった総エネルギー	ゲート漏れ現在	v 遺伝子組み換え = ±20V vCE = 0V			1	微分数
v 遺伝子組み換え (TH)	ゲート限界電圧	わかった C = 40mA, v 遺伝子組み換え =vCE	5.50	6.10	7.00	v
vCE (衛星)ポイント	コレクター・エミッター飽和度圧力は	v 遺伝子組み換え =15Vわかった C= 500A		2.40	2.90	v
		v 遺伝子組み換え =15Vわかった C = 500ATvj = 125 °C		2.95	3.40	v
		v 遺伝子組み換え =15Vわかった C = 500ATvj = 150 °C		3.10	3.60	v
わかった F	ダイオード前流	DC		500		A について
わかった FRM	ダイオード最大前向き現在	T P = 1ミリ秒		1000		A について
vFポイント	ダイオード前向き電圧	わかった F = 500A		2.10	2.60	v
		わかった F = 500A Tvj = 125 °C		2.25	2.70	v
		わかった F = 500A Tvj = 150 °C		2.25	2.70	v
Cies	入力容量	vCE = 25V v 遺伝子組み換え = 0VF = 1MHz		90		ロープ
Qg	ゲートチャージ	±15V		9		微分
Cres	逆転転送能力引用文	vCE = 25V v 遺伝子組み換え = 0VF = 1MHz		2		ロープ
L m	モジュールインダクタンス			25		nH
r INT	内部トランジスタ抵抗			310		μΩ
わかった SC	ショートサーキット流量わかったSC	Tvj = 150°C v 定電流 = 2500V v 遺伝子組み換え ≤15VTP ≤10μs, vCE(マックス) = vCES –L ポイント ×ディ/dt,IEC 製造された物		1800		A について

消して	オフ遅延時間	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω	1720	NS
t f	秋の時間		520	NS
E OFF	切断時のエネルギー損失		780	mJ
オン (オン)	オンする遅延時間		650	NS
について	昇る時間		260	NS
エオン	オンする時のエネルギー損失		730	mJ
Qrr	ダイオード逆回復電荷	I F = 500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us	390	微分
I rr	ダイオード逆回復電流		420	A について
エレック	ダイオード逆回復エネルギー		480	mJ

（記号）	（パラメータ）	（試験条件）	（最小）	（典型）	(最大)	（単位）
消して	オフ遅延時間	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω		1860		NS
t f	秋の時間			550		NS
E OFF	切断時のエネルギー損失			900		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間			630		NS
について	立ち上がり時間昇る時間			280		NS
エオン	オンする時のエネルギー損失			880		mJ
Qrr	ダイオード逆回復電荷	I F = 500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us		620		微分
I rr	ダイオード逆回復電流			460		A について
エレック	ダイオード逆回復エネルギー			760		mJ

（記号）	（パラメータ）	（試験条件）	（最小）	（典型）	(最大)	（単位）
消して	オフ遅延時間	I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω		1920		NS
t f	秋の時間			560		NS
E OFF	切断時のエネルギー損失			1020		mJ
オン (オン)	オンする遅延時間			620		NS
について	昇る時間			280		NS
エオン	オンする時のエネルギー損失			930		mJ
Qrr	ダイオード逆回復電荷	I F = 500A VCE =1800V diF/dt =2100A/us		720		微分
I rr	ダイオード逆回復電流			490		A について
エレック	ダイオード逆回復エネルギー			900		mJ