ファストターンオフ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

ほら

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

125

ほら

ほら

3800

a について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

ほら

tp=10ms

125

2000

ほら

3000

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

125

1000

ほら

2500

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

250

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

46

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

10580

A2s* 103

VTO

限界電圧

ほら

125

ほら

ほら

1.32

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.14

mΩ

ほら

VTM

ほら

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=5000A, F=70kN

30μs≤tq≤45μs

ほら

25

ほら

ほら

2.60

v について

46μs≤tq≤70μs

ほら

ほら

2.00

v について

71μs≤tq≤100μs

ほら

ほら

1.80

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態電流の臨界立ち上がり率（非反復）

VDM= 67%VDRM, 4000Aまで

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

ほら

ほら

1200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

ほら

2100

ほら

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

30

ほら

100

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

25

40

ほら

450

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

ほら

4.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

1000

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800シヌスで,両面冷却 固定力 70 kN

ほら

ほら

ほら

0.007

ほら

│C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

ほら

ほら

ほら

0.002

fm

取り付け力

ほら

ほら

63

ほら

84

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

1390

ほら

g

概要

KT84cT