i についてT(AV) | 4240a について |
v についてdrmほら | 1200V~2000V |
v についてRRM | 1000V~1800V |
tqほら | 15~80µs |
ほら
特徴
典型的なアプリケーション
ほら シンボル | ほら 特徴 | ほら 試験条件 | Tj(℃) について | 価値 | ほら ユニット | ||||
ポイント | タイプ | 最大 | |||||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う半正弦波 50Hz 両面冷却、 | TC=55°C | 125 | ほら | ほら | 4240 | a について | |
VDRM | 繰り返しピークオフステート電圧 | ほら tp=10ms | ほら 125 | 1200 | ほら | 2000 | v について | ||
VRRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | 1000 | ほら | 1800 | v について | ||||
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 | ほら | ほら | 250 | ママ | ||
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | 125 | ほら | ほら | 46 | カ | ||
ポイント | 融解調整のためのI2t | ほら | ほら | 10580 | A2s*103 | ||||
VTO | 限界電圧 | ほら | 125 | ほら | ほら | 1.14 | v について | ||
ロープ | オン状態スロープ抵抗 | ほら | ほら | 0.10 | mΩ | ||||
ほら VTM | ほら ピークオン状態電圧 | ほら ITM=5000A, F=70kN | 15μs≤tq≤35µs | ほら 25 | ほら | ほら | 2.50 | v について | |
36μs≤tq≤60µs | ほら | ほら | 1.80 | v について | |||||
61μs≤tq≤80µs | ほら | ほら | 1.60 | v について | |||||
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 125 | ほら | ほら | 1000 | V/μs | ||
di/dt | オン状態電流の臨界立ち上がり率(非反復) | VDM= 67%VDRM 、to4000A ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A | 125 | ほら | ほら | 1200 | A/μs | ||
Qrr | リカバリーチャージ | ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V | 125 | ほら | 2100 | ほら | µC | ||
Tq | 回路コミュテーションターンオフ時間 | ITM=2000A、tp=4000µs、VR=100V dv/dt=30V/µs、di/dt=-20A/µs | 125 | 25 | ほら | 80 | µs | ||
IGT | ゲートトリガ電流 | ほら VA=12V, IA=1A | ほら 25 | 40 | ほら | 450 | ママ | ||
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.9 | ほら | 4.5 | v について | ||||
IH | ホールディング電流 | 20 | ほら | 1000 | ママ | ||||
について | ラッチ電流 | ほら | ほら | 1000 | ママ | ||||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | ほら | ほら | 0.3 | v について | ||
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 1800シヌスで,両面冷却 固定力 70 kN | ほら | ほら | ほら | 0.007 | ほら °C /W | ||
Rth(c-h) | 熱吸収器の熱抵抗ケース | ほら | ほら | ほら | 0.002 | ||||
fm | 取り付け力 | ほら | ほら | 63 | ほら | 84 | kn | ||
Tvj | 接合温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 125 | °C | ||
ターゲット・ストーブ | 保存温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 140 | °C | ||
wt | 体重 | ほら | ほら | ほら | 1390 | ほら | g | ||
概要 | KT84cT |
ほら
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