ファストターンオフ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=55│c について

125

ほら

ほら

2900

a について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

ほら

tp=10ms

ほら

125

2000

ほら

3000

ほら

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1000

ほら

2500

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

200

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

125

ほら

ほら

30

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

4500

103A2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

1.27

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.15

mΩ

ほら

VTM

ほら

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=5000A, F=40kN

20μs≤tq≤45µs

ほら

25

ほら

ほら

2.80

v について

46μs≤tq≤60μs

ほら

ほら

2.60

v について

61μs≤tq≤75μs

ほら

ほら

2.40

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態電流の臨界立ち上がり率（非反復）

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

ほら

ほら

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

ほら

1300

ほら

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

25

ほら

75

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA=12V, IA=1A

ほら

ほら

25

40

ほら

250

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

ほら

3.0

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

1000

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で│正弦波、両面冷却 クランプ力 40kN

ほら

ほら

ほら

0.010

ほら

│C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.003

fm

取り付け力

ほら

ほら

35

ほら

47

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

1100

ほら

g

概要

KT73cT/ KT73dT