Y76KFE,非対称高速ターンオフサイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

125

3415

A について

TC=70°C

2870

VDRM

繰り返しピークオフ状態電圧

tp=10ms

125

800

2000

v

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1000

1800

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VD= VDRM VR= VRRM

125

200

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

35.6

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

6337

A2s*103

VTO

限界電圧

125

1.21

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.10

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=4000A, F=40kN

15≤tq≤35

25

2.20

v

36≤tq≤50

2.00

v

51≤tq≤75

1.80

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to3000A

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

1300

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000µs, VR =100V dv/dt=30V/µs,di/dt=-20A/µs

100

15

75

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

45

300

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

4.5

v

IH

ホールディング電流

20

500

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180°サインで、両面冷却されたクランプ力40kN

0.010

°C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

0.003

Fm

取り付け力

35

47

KN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

1100/ 1460

g

概要

KT73cT/ KT73dT