ファストターンオフ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(℃) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

ほら

IT(AV)

ほら

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55°C

ほら

125

ほら

ほら

3415

ほら

a について

TC=70°C

ほら

ほら

2870

VDRM

繰り返しピークオフ状態電圧

ほら

tp=10ms

ほら

125

800

ほら

2000

ほら

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1000

ほら

1800

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VD= VDRM VR= VRRM

125

ほら

ほら

200

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

35.6

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

6337

A2s*103

VTO

限界電圧

ほら

125

ほら

ほら

1.21

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.10

mΩ

ほら

VTM

ほら

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=4000A, F=40kN

15≤tq≤35

ほら

25

ほら

ほら

2.20

v について

36≤tq≤50

ほら

ほら

2.00

v について

51≤tq≤75

ほら

ほら

1.80

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to3000A

ゲートパルス tr ≤0.5μs    IGM=1.5A

125

ほら

ほら

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

ほら

1300

ほら

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000µs, VR =100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

100

15

ほら

75

ほら

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA=12V, IA=1A

ほら

25

45

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

ほら

4.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

500

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1000

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180°サインで、両面冷却されたクランプ力40kN

ほら

ほら

ほら

0.010

ほら

°C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

ほら

ほら

ほら

0.003

fm

取り付け力

ほら

ほら

35

ほら

47

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

1100/ 1460

ほら

g

概要

KT73cT/ KT73dT