ファストターンオフ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(°C) について

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う半正弦波 50Hz 両面冷却

t_{c について}=55°C

125

ほら

ほら

1600

a について

VDRM

繰り返しピークオフステート電圧

tp=10ms

ほら

125

1200

ほら

2000

v について

VRRM

繰り返しのピーク逆電圧

1000

ほら

1800

v について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

120

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

ほら

125

ほら

ほら

18

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

1620

103A2s

VTO

限界電圧

ほら

ほら

125

ほら

ほら

1.27

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.22

mΩ

ほら

VTM

ピークオン状態電圧

ほら

ITM=3000A, F=28kN

20≤tq≤28

ほら

25

ほら

ほら

2.20

v について

29≤tq≤50

ほら

ほら

2.00

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態電流の臨界立ち上がり率（非反復）

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs   IGM= 1.5A

125

ほら

ほら

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

ほら

750

ほら

微分

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM= 1000A ,tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

15

ほら

50

μs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

ほら

25

40

ほら

250

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

ほら

2.5

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

500

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1000

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で違うサイン波、両面冷却 クランプ力 32kN

ほら

ほら

ほら

0.016

ほら

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

ほら

ほら

ほら

0.004

fm

取り付け力

ほら

ほら

27

ほら

34

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

°C

wt

体重

ほら

ほら

ほら

640

ほら

g

概要

KT54cT