高周波サイリスタ

i についてT(AV)わかった

1520A

v についてdrmバイトRRM      

1200V    1400V

Tq

12~28µs

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

ほら

Tj(│C)

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

ほら

IT(AV)

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hz 両面冷却、

TC=55│c について

ほら

125

ほら

ほら

ほら

1520

ほら

a について

VDRM VRRM

繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧

tp=10ms

125

1100

ほら

1400

v について

Idrm Irrm

繰り返しピークオフ状態電流 繰り返しピーク逆電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

100

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

18

カ

ポイント

融解調整のためのI2t

ほら

ほら

1620

A2s*103

VTO

限界電圧

ほら

125

ほら

ほら

1.63

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.25

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=3000A, F=26kN

25

ほら

ほら

3.20

v について

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

VDM= 67%VDRM to 2500A

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

ほら

ほら

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

125

ほら

105

120

微分

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM= 1000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

ほら

28

μs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA= 12V, IA= 1A

ほら

25

30

ほら

300

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

IH

ホールディング電流

20

ほら

400

ママ

について

ラッチ電流

ほら

ほら

1000

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

1800サイン波で、両面冷却、クランプ力26kN

ほら

ほら

ほら

0.018

ほら

│C /W

Rth(c-h)

熱吸収器の熱抵抗ケース

ほら

ほら

ほら

0.004

fm

取り付け力

ほら

ほら

21

ほら

30

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

│c について

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

│c について

wt

体重

ほら

ほら

ほら

590

ほら

g

概要

KT54cT