高周波サイリスタ

ほら

シンボル

ほら

特徴

ほら

試験条件

Tj(│C)

価値

ほら

ユニット

ポイント

タイプ

最大

した( ありがとうございました)バイ) について

平均オン状態電流

180│半正弦波 50Hzほら両面冷却

TC=55│c について

125

ほら

ほら

1010

a について

VDRMほらVRRM

繰り返すほらピークオフ状態電圧ほら繰り返すほらピーク逆電圧

tp=10ms

125

1200

ほら

1600

v について

IDRMほらIRRM

繰り返すほらピークオフ状態電流ほら繰り返すほらピーク逆電流

VDRMおよびVRRMで

125

ほら

ほら

50

ママ

ITSM

サージオン状態電流

10ms 半正弦波ほら波 VR=0.6VRRM

125

ほら

ほら

11

カ

i について2t

i について2tほらについてほら融合ほら調整

ほら

ほら

605

a について2s*103

VTO

限界電圧

ほら

125

ほら

ほら

1.70

v について

ロープ

オン状態スロープ抵抗

ほら

ほら

0.48

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=1800A,ほらF=21kN

25

ほら

ほら

3.20

v について

dv/dt

臨界上昇率ほらオフ状態のほら圧力は

VDM=0.67VDRM

125

ほら

ほら

1000

V/μs

di/dt

オン状態のについてほら臨界上昇率ほら流動

VDM= 67%VDRMほらについてほら1600A,

ゲートパルスtrほら≤0.5μsほらIGM=1.5A

125

ほら

ほら

1500

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=1000A, tp=4000µs,  di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

ほら

83

100

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100Vほらdv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

18

ほら

36

µs

IGT

ゲートトリガ電流

ほら

VA=12V,ほらIA=1A

ほら

25

30

ほら

250

ママ

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

ほら

3.0

v について

i についてh

ホールディング電流

20

ほら

400

ママ

i についてわかった

ラッチ電流

ほら

ほら

500

ママ

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

ほら

ほら

0.3

v について

Rth(j-c)

熱力ほら抵抗力ほら接合からケースまで

についてほら1800ほらサイン、ほら両面冷却ほらクランプ力 21kN

ほら

ほら

ほら

0.024

ほら

│c についてほら/W

Rth(c-h)

熱力ほら抵抗力ほらケースからほら熱槽

ほら

ほら

ほら

0.006

fm

取り付け力

ほら

ほら

18

ほら

25

kn

Tvj

接合温度

ほら

ほら

-40

ほら

125

│c について

ターゲット・ストーブ

保存温度

ほら

ほら

-40

ほら

140

│c について

wt

体重

ほら

ほら

ほら

3800

ほら

g

概要

KT44cT