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IT(AV) | 830a について |
VDRM,VRRM | 500V 800V 1000Vわかった1200V 1400V 1600V 1800 |
特徴について
典型的なアプリケーション
ほら シンボル | ほら 特徴 | ほら 試験条件 | Tj(°C) について | 価値 | ほら ユニット | |||
ポイント | タイプ | 最大 | ||||||
ほら IT(RMS) | ほら RMS電流 | 50Hz正弦波 両面冷却 | TC=55°C | ほら 125 | ほら | ほら | 1210 | ほら a について |
TC=85°C | ほら | ほら | 830 | |||||
VDRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | VDRM tp=10ms VDSM=VDRM+100V | 125 | 500 | ほら | 1800 | v について | |
IDRM | 繰り返しピーク電流 | VDRMにて | 125 | ほら | ほら | 50 | ママ | |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | 125 | ほら | ほら | 7.8 | カ | |
ポイント | 融解調整のためのI2t | ほら | ほら | 304 | A2s* 103 | |||
VTO | 限界電圧 | ほら | 125 | ほら | ほら | 1.00 | v について | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 | ほら | ほら | 0.85 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM= 1200A, F= 18kN | 125 | ほら | ほら | 2.70 | v について | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 125 | ほら | ほら | 50 | V/µs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM= 67%VDRM to 1000A, ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 繰り返し | 125 | ほら | ほら | 50 | A/µs | |
IGT | ゲートトリガ電流 | ほら VA= 12V, IA= 1A | ほら 25 | 20 | ほら | 350 | ママ | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 | ほら | 3.5 | v について | |||
IH | ホールディング電流 | 20 | ほら | 400 | ママ | |||
について | ラッチ電流 | ほら | ほら | ほら | ほら | 500 | ママ | |
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | ほら | ほら | 0.3 | v について | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 両面冷却 クランプ力 18kN | ほら | ほら | ほら | 0.030 | ほら │C /W | |
Rth(c-h) | 熱吸収器の熱抵抗ケース | ほら | ほら | ほら | 0.008 | |||
fm | 取り付け力 | ほら | ほら | 15 | ほら | 20 | kn | |
Tvj | 接合温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 125 | │c について | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 140 | │c について | |
wt | 体重 | ほら | ほら | ほら | 200 | ほら | g | |
概要 | KA37 |
ほら
ほら
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