わかった T(AV) |
600A について |
v DRM |
2000V~ 2200V |
v RRM |
2500V~ 2800V |
T Q |
30~100µs |
特徴
典型的な用途
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj(℃ ) |
価値 |
ユニット |
||||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180違う 半正弦波 50Hz 両面冷却、 |
TC=80°C |
125 |
|
|
600 |
A について |
|
TC=55°C |
|
|
800 |
A について |
|||||
VDRM VRRM |
繰り返しピークオフ状態電圧 繰り返しピーク逆電圧 |
tp=10ms |
125 |
1900 |
|
3000 |
v |
||
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
VDRMおよびVRRMで |
125 |
|
|
60 |
mA |
||
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms 半正弦波 |
125 |
|
|
8.5 |
kA |
||
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
361 |
A2s* 103 |
||||
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
1.39 |
v |
||
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.83 |
mΩ |
||||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM= 1800A, F= 18kN |
30≤tq≤55 |
25 |
|
|
3.15 |
v |
|
56≤tq≤75 |
|
|
2.88 |
v |
|||||
76≤tq≤100 |
|
|
2.60 |
v |
|||||
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
VDM=1600Aで 67%VDRM ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 単一パルス |
125 |
|
|
1200 |
A/μs |
||
Qrr |
リカバリーチャージ |
ITM= 1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V |
125 |
|
550 |
|
µC |
||
Tq |
回路コミュテーションターンオフ時間 |
ITM= 1000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs , di/dt=-20A/µs |
125 |
30 |
|
100 |
µs |
||
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
||
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.9 |
|
3.0 |
v |
||||
IH |
ホールディング電流 |
20 |
|
400 |
mA |
||||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
500 |
mA |
||||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
v |
||
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
180°のサインで、両面冷却されたクランプ力18kN |
|
|
|
0.028 |
°C /W |
||
Rth(c-h) |
熱吸収器の熱抵抗ケース |
|
|
|
0.0075 |
||||
Fm |
取り付け力 |
|
|
15 |
|
20 |
KN |
||
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
||
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
||
ワット |
重量 |
|
|
|
320 |
|
g |
||
概要 |
KT39cT |
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