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IT(AV) | 750 |
VDRM,VRRM | 500V 800V 1000Vわかった1200V 1400V 1600V 1800 |
特徴について
典型的なアプリケーション
ほら シンボル | ほら 特徴 | ほら 試験条件 | Tj(°C) について | 価値 | ほら ユニット | |||
ポイント | タイプ | 最大 | ||||||
ほら IT(RMS) | RMS電流 | 50Hz正弦波 両面冷却 | TC=55°C | 125 | ほら | ほら | 1060 | ほら a について |
TC=85│c について | 125 | ほら | ほら | 750 | ||||
VDRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | VDRM tp=10ms VDSM = VDRM +100V | 125 | 500 | ほら | 1800 | v について | |
IDRM | 繰り返しピーク電流 | VDRMにて | 125 | ほら | ほら | 40 | ママ | |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | 125 | ほら | ほら | 7.6 | カ | |
ポイント | 融解調整のためのI2t | ほら | ほら | 288 | A2s*103 | |||
VTO | 限界電圧 | ほら | 125 | ほら | ほら | 0.84 | v について | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 | ほら | ほら | 1.01 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=900A, F=15kN | 25 | ほら | ほら | 2.70 | v について | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 125 | ほら | ほら | 50 | V/µs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM= 67%VDRM to 1000A, ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A 繰り返し | 125 | ほら | ほら | 50 | A/µs | |
IGT | ゲートトリガ電流 | ほら ほら VA=12V, IA=1A | ほら ほら 25 | 20 | ほら | 300 | ママ | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 | ほら | 3.0 | v について | |||
IH | ホールディング電流 | 20 | ほら | 300 | ママ | |||
について | ラッチ電流 | ほら | ほら | 500 | ママ | |||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | ほら | ほら | 0.3 | v について | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 両面冷却 クランプ力 15kN | ほら | ほら | ほら | 0.035 | ほら │C /W | |
Rth(c-h) | 熱吸収器の熱抵抗ケース | ほら | ほら | ほら | 0.008 | |||
fm | 取り付け力 | ほら | ほら | 10 | ほら | 20 | kn | |
Tvj | 接合温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 125 | │c について | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 140 | │c について | |
wt | 体重 | ほら | ほら | ほら | 240 | ほら | g | |
概要 | KT33cT |
ほら
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