ホームペーージ / 製品 / カプセル型デバイス / 双方向制御サイリスタ
IT(AV) |
750 |
VDRM,VRRM |
500V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800 |
特徴 ：
典型的な用途
|
シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
|||
ほんの少し |
タイプ |
マックス |
||||||
|
IT(RMS) |
RMS電流 |
50Hz正弦波 両面冷却 |
TC=55°C |
125 |
|
|
1060 |
A について |
TC=85 。C |
125 |
|
|
750 |
||||
VDRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
VDRM tp=10ms VDSM = VDRM +100V |
125 |
500 |
|
1800 |
v |
|
IDRM |
繰り返しピーク電流 |
VDRMにて |
125 |
|
|
40 |
mA |
|
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
7.6 |
kA |
|
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
288 |
A2s*103 |
|||
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
0.84 |
v |
|
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
1.01 |
mΩ |
|||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=900A, F=15kN |
25 |
|
|
2.70 |
v |
|
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
50 |
V/µs |
|
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
VDM= 67%VDRM to 1000A, ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM=1.5A 繰り返し |
125 |
|
|
50 |
A/µs |
|
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
20 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
|
3.0 |
v |
|||
IH |
ホールディング電流 |
20 |
|
300 |
mA |
|||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
500 |
mA |
|||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
v |
|
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
両面冷却 クランプ力 15kN |
|
|
|
0.035 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
熱吸収器の熱抵抗ケース |
|
|
|
0.008 |
|||
Fm |
取り付け力 |
|
|
10 |
|
20 |
KN |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
|
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
|
ワット |
重量 |
|
|
|
240 |
|
g |
|
概要 |
KT33cT |
|||||||
当社の専門営業チームがあなたの相談をお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください
EN
