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ほら
IT(AV) | 500 |
VDRM,VRRM | 500V 800V 1000Vわかった1200V 1400V 1600V 1800 |
特徴について
典型的なアプリケーション
ほら シンボル | ほら 特徴 | ほら 試験条件 | ほら Tj(°C) について | 価値 | ほら ユニット | |||
ポイント | タイプ | 最大 | ||||||
IT(RMS) | RMS電流 | 50Hz正弦波 両面冷却 | TC=55°C | 125 | ほら | ほら | 710 | a について |
TC=85│c について | ほら | ほら | 500 | |||||
VDRM | 繰り返しのピーク逆電圧 | VDRM tp=10ms VDSM=VDRM +100V | 125 | 500 | ほら | 1800 | v について | |
IDRM | 繰り返しピーク電流 | VDRMにて | 125 | ほら | ほら | 30 | ママ | |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=0.6VRRM | 125 | ほら | ほら | 4.5 | カ | |
ポイント | 融解調整のためのI2t | ほら | ほら | 101 | A2s* 103 | |||
VTO | 限界電圧 | ほら | 125 | ほら | ほら | 0.99 | v について | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 | ほら | ほら | 1.80 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=450A, F=7.0kN | 25 | ほら | ほら | 2.70 | v について | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=0.67VDRM | 125 | ほら | ほら | 50 | V/µs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | VDM= 67%VDRMで800Aまで、 ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 繰り返し | 125 | ほら | ほら | 50 | A/µs | |
IGT | ゲートトリガ電流 | ほら ほら VA= 12V, IA= 1A | ほら ほら 25 | 20 | ほら | 200 | ママ | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.8 | ほら | 2.5 | v について | |||
IH | ホールディング電流 | 20 | ほら | 200 | ママ | |||
について | ラッチ電流 | ほら | ほら | 500 | ママ | |||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 | ほら | ほら | 0.3 | v について | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | 両面冷却 クランプ力 7.0kN | ほら | ほら | ほら | 0.045 | ほら │C /W | |
Rth(c-h) | 熱吸収器の熱抵抗ケース | ほら | ほら | ほら | 0.015 | |||
fm | 取り付け力 | ほら | ほら | 5.3 | ほら | 12 | kn | |
Tvj | 接合温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 125 | °C | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 | ほら | ほら | -40 | ほら | 140 | °C | |
wt | 体重 | ほら | ほら | ほら | 85 | ほら | g | |
概要 | KA28 |
ほら
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