Y100KFG,非対称高速ターンオフサイリスタ

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃ )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz 両面冷却

TC=55℃

125

4890

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms

125

250

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=0.6VRRM

125

63

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

19845

103A2s

VTO

限界電圧

125

1.30

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.13

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=5000A, F=90kN

25μs≤tq≤45μs

25

2.50

v

46μs≤tq≤75μs

1.80

v

76μs≤tq≤100μs

1.60

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態電流の臨界立ち上がり率（非反復）

VDM= 67%VDRM,

ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

2100

微分

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=2000A, tp=4000μs, VR= 100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

25

100

μs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

40

250

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.9

2.5

v

IH

ホールディング電流

20

1000

mA

ラング

ラッチ電流

1500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で 違う サイン波、両面冷却 クランプ力 90kN

0.0050

。C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

0.0015

Fm

取り付け力

81

108

KN

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

140

°C

ワット

重量

2000/ 2500

g

概要

KT100cT/ KT100dT