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1400A 1700V
簡単な紹介
IGBT モジュール 、ハーフブリッジIGBT、CRRCによって製造されました。1700V 1400A。
主要パラメータ
V CES |
1700 V |
V 衛星 タイプする |
2.0 V |
わかった C マックス。 |
1400 A について |
わかった C(RM) マックス。 |
2800 A について |
典型的な用途
特徴
基板
絶対最大格付け
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
価値 |
ユニット |
総額 |
集合器-放出器の電圧 |
VGE = 0V,TC= 25 °C |
1700 |
V |
VGES |
ゲート・エミッター・ボルト |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
集積回路 |
コレクタ-エミッタ電流 |
TC = 65 °C |
1400 |
A について |
IC(PK) |
集電极峰值電流 ピークコレクタ電流 |
tp=1ms |
2800 |
A について |
総量 |
最大トランジスタ電力損失 |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
6.25 |
kW |
ポイント |
ダイオード I2t |
VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C |
145 |
kA2s |
Visol |
隔離電圧 - モジュールあたり |
ベースプレートへの共通端末),AC RMS,1分,50Hz,TC=25 °C |
4000 |
V |
電気的特性
シンボル |
パラメータ |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
||
ICES |
コレクターの切断電流 |
VGE = 0V、VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
||
VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C |
|
|
20 |
mA |
||||
VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C |
|
|
30 |
mA |
||||
ゲノム |
ゲート漏れ電流 |
VGE = ±20V、VCE = 0V |
|
|
0.5 |
微分数 |
||
標準値 (TH) |
ゲート 限界電圧 |
IC = 30mA,VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
V |
||
VCE (sat) ((*1) |
コレクター・エミッター飽和度 圧力は |
VGE=15V,IC=1400A |
|
2.00 |
2.40 |
V |
||
VGE=15V,IC=1400A,TVj=125 °C |
|
2.45 |
2.70 |
V |
||||
VGE=15V,IC=1400A,TVj=150 °C |
|
2.55 |
2.80 |
V |
||||
IF |
ダイオード前流 |
DC |
|
1400 |
|
A について |
||
IFRM |
ダイオードピーク前電流 |
tP = 1ms |
|
2800 |
|
A について |
||
ポイントは, |
ダイオード前向き電圧 |
IF = 1400A,VGE = 0 |
|
1.80 |
2.20 |
V |
||
IF = 1400A,VGE = 0, Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
2.30 |
V |
||||
IF = 1400A,VGE = 0, Tvj = 150 °C |
|
2.00 |
2.40 |
V |
||||
短絡電流 |
短絡電流 |
Tvj = 150°C,VCC = 1000V,VGE ≤15V,tp ≤10μs, VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9 |
|
5400 |
|
A について |
||
サイエス |
输入電容量 入力容量 |
VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz |
|
113 |
|
ロープ |
||
司令部 |
ゲートチャージ |
±15V |
|
11.7 |
|
微分 |
||
クレス |
逆転移容量 |
VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz |
|
3.1 |
|
ロープ |
||
LM |
モジュール誘導力 |
|
|
10 |
|
nH |
||
RINT |
内部トランジスタ抵抗 |
|
|
0.2 |
|
mΩ |
||
消して |
オフ遅延時間 |
IC=1400A VCE = 900V VGE = ±15V,RG ((OFF) = 1.8Ω,LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj=150 °C) |
Tvj= 25 °C |
|
1520 |
|
nS |
|
Tvj= 125 °C |
|
1580 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
1600 |
|
|||||
tF |
下降時間 秋の時間 |
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
nS |
||
Tvj= 125 °C |
|
610 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
650 |
|
|||||
オーフ |
切断時のエネルギー損失 |
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
mJ |
||
Tvj= 125 °C |
|
540 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
560 |
|
|||||
オン (オン) |
オンする遅延時間 |
IC=1400A VCE = 900V VGE = ±15V,RG ((ON) = 1.2Ω,LS = 20nH di/dt = 10000A/us (Tvj=150 °C) について |
Tvj= 25 °C |
|
400 |
|
nS |
|
Tvj= 125 °C |
|
370 |
||||||
Tvj= 150 °C |
|
360 |
||||||
について |
昇る時間 |
Tvj= 25 °C |
|
112 |
|
nS |
||
Tvj= 125 °C |
|
120 |
||||||
Tvj= 150 °C |
|
128 |
|
|||||
エオン |
オンする時のエネルギー損失 |
Tvj= 25 °C |
|
480 |
|
mJ |
||
Tvj= 125 °C |
|
580 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
630 |
|
|||||
Qrr |
逆ダイオード リカバリーチャージ |
IF = 1400A,VCE = 900V - diF/dt = 10000A/us (Tvj=150 °C) |
Tvj= 25 °C |
|
315 |
|
微分 |
|
Tvj= 125 °C |
|
440 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
495 |
|
|||||
Irr |
逆ダイオード 回復電流 |
Tvj= 25 °C |
|
790 |
|
A について |
||
Tvj= 125 °C |
|
840 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
870 |
|
|||||
エレック |
逆ダイオード 回復エネルギー |
Tvj= 25 °C |
|
190 |
|
mJ |
||
Tvj= 125 °C |
|
270 |
|
|||||
Tvj= 150 °C |
|
290 |
|
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