IGBTモジュール 1700V

シンボル

パラメータ

試験条件

価値

ユニット

総額

集合器-放出器の電圧

VGE = 0V,TC= 25 °C

1700

v

VGES

ゲート・エミッター・ボルト

TC= 25 °C

± 20

v

集積回路

コレクタ-エミッタ電流

TC = 65 °C

1400

A について

IC(PK)

集電极峰值電流

ピークコレクタ電流

tp=1ms

2800

A について

総量

最大トランジスタ電力損失

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

KW

ポイント

ダイオード I2t

VR =0V,tP = 10ms,TVj = 150 °C

145

kA2s

Visol

隔離電圧 - モジュールあたり

ベースプレートへの共通端末),AC RMS,1分,50Hz,TC=25 °C

4000

v

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

ICES

コレクターの切断電流

VGE = 0V、VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=125 °C

20

mA

VGE = 0V、VCE = VCES、TC=150 °C

30

mA

ゲノム

ゲート漏れ電流

VGE = ±20V、VCE = 0V

0.5

微分数

標準値 (TH)

ゲート 限界電圧

IC = 30mA,VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat) ((*1)

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

VGE=15V,IC=1400A

2.00

2.40

v

VGE=15V,IC=1400A,TVj=125 °C

2.45

2.70

v

VGE=15V,IC=1400A,TVj=150 °C

2.55

2.80

v

IF

ダイオード前流

DC

1400

A について

IFRM

ダイオードピーク前電流

tP = 1ms

2800

A について

ポイントは,

ダイオード前向き電圧

IF = 1400A,VGE = 0

1.80

2.20

v

IF = 1400A,VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

v

IF = 1400A,VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

v

短絡電流

短絡電流

Tvj = 150°C,VCC = 1000V,VGE ≤15V,tp ≤10μs,

VCE (最大) = VCES L (最大) *2) ×di/dt,IEC 6074-9

5400

A について

サイエス

输入電容量

入力容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

113

ロープ

司令部

ゲートチャージ

±15V

11.7

微分

クレス

逆転移容量

VCE = 25V,VGE = 0V,f = 100kHz

3.1

ロープ

LM

モジュール誘導力

10

nH

RINT

内部トランジスタ抵抗

0.2

mΩ

消して

オフ遅延時間

IC=1400A

VCE = 900V

VGE = ±15V,RG ((OFF) = 1.8Ω,LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj=150 °C)

Tvj= 25 °C

1520

NS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

TF

下降時間 秋の時間

Tvj= 25 °C

460

NS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

オーフ

切断時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

オン (オン)

オンする遅延時間

IC=1400A

VCE = 900V

VGE = ±15V,RG ((ON) = 1.2Ω,LS = 20nH

di/dt = 10000A/us (Tvj=150 °C) について

Tvj= 25 °C

400

NS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

について

昇る時間

Tvj= 25 °C

112

NS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

エオン

オンする時のエネルギー損失

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

逆ダイオード

リカバリーチャージ

IF = 1400A,VCE = 900V

- diF/dt = 10000A/us (Tvj=150 °C)

Tvj= 25 °C

315

微分

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

逆ダイオード

回復電流

Tvj= 25 °C

790

A について

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

エレック

逆ダイオード

回復エネルギー

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290