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簡単な紹介：
CRRCによって製造された高電圧、単一スイッチIGBTモジュール。4500V 900A。
特徴
低スイッチング用SPT+チップセット 損失 |
低 vCEsat |
低ドライビング 電力 |
A についてlSiCベースプレートによる高 電力 Cサイクリング 能力Y |
低熱のためのAlN基板 抵抗 |
典型的なアプリケーション
牽引駆動 |
DCチョッパー |
高電圧インバータ/コンバータ |
最大定格値
パラメータ/参数 | シンボル/符号 | 条件/条件 | ほんの少し | マックス | ユニット |
集合器-放出器の電圧 集電極-エミッタ電圧 | vCES | v遺伝子組み換え =0V,Tvj ≥25°C |
| 4500 | v |
DC コレクタ 現在 集電極電流 | わかったC | TC =80°C |
| 900 | A について |
ピークコレクタ 現在 集電极峰值電流 | わかったcm | tp=1ms,Tc=80°C |
| 1800 | A について |
ゲート・エミッター・ボルト ゲートエミッタ電圧 | v総エネルギー |
| -20 | 20 | v |
総 パワー消費 総電力損失 | Ptot | TC =25°C,スイッチごと(IGBT) |
| 8100 | W について |
DC順方向電流 直流正方向電流 | わかったF |
|
| 900 | A について |
ピーク順方向電流 ピーク正方向電流 | わかったFRM | tp=1ms |
| 1800 | A について |
サージ 現在 浪涌電流 | わかったFSM | vr =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, ハーフサイン波 |
| 6700 | A について |
IGBTショート 回路 SOA IGBT短絡安全動作領域 |
Tpsc |
v定電流 =3400V,VCEMCHIP≤4500V v遺伝子組み換え ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μs |
絶縁電圧 绝缘電圧 | v孤立 | 1分,f=50Hz |
| 10200 | v |
接合温度 結温 | Tvj |
|
| 150 | °C |
接合動作温度erature 動作結温 | Tvj(op) |
| -50 | 125 | °C |
ケース温度 ケース温度 | TC |
| -50 | 125 | °C |
保管温度 保存温度 | TSTG |
| -50 | 125 | °C |
取り付けトルク 取り付けトルク | ms |
| 4 | 6 | Nm |
mT1 |
| 8 | 10 | ||
mT2 |
| 2 | 3 |
|
IGBT 特性値
パラメータ/参数 | シンボル/符号 | 条件/条件 | ほんの少し | タイプ | マックス | ユニット | |
収集家 (-エミッタ) ブレークダウン 圧力は 集電極-エミッタブロッキング電圧 |
v(BR)CES | v遺伝子組み換え =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
v | |
コレクター・エミッター飽和度 圧力は 集電極-エミッタ飽和電圧 |
vCEsat | わかったC =900A, v遺伝子組み換え =15V | Tvj= 25°C |
| 2.7 | 3.2 | v |
Tvj=125°C |
| 3.4 | 3.8 | v | |||
コレクタカットオフ 現在 集電極カットオフ電流 | わかったCES | vCE =4500V, v遺伝子組み換え =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | mA |
Tvj=125°C |
|
| 100 | mA | |||
ゲート 漏れ電流 ゲートリーク電流 | わかった総エネルギー | vCE =0V,V遺伝子組み換え =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | NA | |
ゲート-エミッタ閾値電圧 ゲートエミッタしきい値電圧 | v総額 | わかったC =240mA,VCE =V遺伝子組み換え, Tvj =25°C | 4.5 |
| 6.5 | v | |
ゲート 充電 ゲートチャージ | Qg | わかったC =900A,VCE =2800V, v遺伝子組み換え =15V … 15V |
| 8.1 |
| µC | |
入力容量 输入電容量 | Cies |
vCE =25V,V遺伝子組み換え =0V f=1MHz,Tvj =25°C |
| 105.6 |
|
ロープ | |
輸出容量 出力キャパシタンス | Cオーエス |
| 7.35 |
| |||
逆転移容量 逆転移キャパシタンス | Cres |
| 2.04 |
| |||
オン遅延 時間 開通遅延時間 | Tオンに |
v定電流 =2800V, わかったC =900A, rg =2.2Ω , v遺伝子組み換え =±15V Lσ=280nH, インダクティブ負荷 | Tvj = 25 °C |
| 680 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 700 |
| ||||
昇る時間 立ち上がり時間 | Tr | Tvj = 25 °C |
| 230 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 240 |
| ||||
オフ遅延時間 オフ遅延時間 | TD(オフ) | Tvj = 25 °C |
| 2100 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 2300 |
| ||||
秋の時間 下降時間 | TF | Tvj = 25 °C |
| 1600 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 2800 |
| ||||
オン 切り替え 損失エネルギー オン損失エネルギー | eon | Tvj = 25 °C |
| 1900 |
| mJ | |
Tvj =125 について °C |
| 2500 |
| ||||
切断する 損失エネルギー オフ損失エネルギー | eオフ | Tvj = 25 °C |
| 3100 |
| mJ | |
Tvj =125 について °C |
| 3800 |
| ||||
ショートサーキット 現在 短絡電流 | わかったSC | Tpsc≤ 10μs, V遺伝子組み換え =15V Tvj= 125°C,V定電流 = 3400V |
| 3600 |
| A について | |
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