YMIF900-45、IGBTモジュール、単一スイッチIGBT、CRRC

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ほんの少し

マックス

ユニット

集合器-放出器の電圧 集電極 -エミッタ電圧

V CES

V 遺伝子組み換え =0V,T vj ≥25°C

4500

V

DC コレクタ 現在 集電極電流

わかった C

T C =80°C

900

A について

ピークコレクタ 現在 集電极峰值電流

わかった Cm

tp=1ms,Tc=80°C

1800

A について

ゲート・エミッター・ボルト ゲートエミッタ電圧

V 総エネルギー

-20

20

V

総 パワー消費 総電力損失

P tot

T C =25°C,スイッチごと(IGBT)

8100

W について

DC順方向電流 直流正方向電流

わかった F

900

A について

ピーク順方向電流 ピーク正方向電流

わかった FRM

tp=1ms

1800

A について

サージ 現在 浪涌電流

わかった FSM

V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, ハーフサイン波

6700

A について

IGBTショート 回路 SOA IGBT短絡安全動作領域

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V 遺伝子組み換え ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

絶縁電圧 绝缘電圧

V 孤立

1分,f=50Hz

10200

V

接合温度 結温

T vj

150

°C

接合動作温度 erature 動作結温

T vj(op)

-50

125

°C

ケース温度 ケース温度

T C

-50

125

°C

保管温度 保存温度

T sTG

-50

125

°C

取り付けトルク 取り付けトルク

M S

4

6

Nm

M T 1

8

10

M T 2

2

3

パラメータ/参数

シンボル/符号

条件/条件

ほんの少し

タイプ

マックス

ユニット

収集家 (-エミッタ) ブレークダウン 圧力は

集電極 -エミッタブロッキング電圧

V (BR)CES

V 遺伝子組み換え =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

コレクター・エミッター飽和度 圧力は

集電極 -エミッタ飽和電圧

V CEsat

わかった C =900A, V 遺伝子組み換え =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

コレクタカットオフ 現在 集電極カットオフ電流

わかった CES

V CE =4500V, V 遺伝子組み換え =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

ゲート 漏れ電流 ゲートリーク電流

わかった 総エネルギー

V CE =0V,V 遺伝子組み換え =20V, T vj =125°C

-500

500

nA

ゲート-エミッタ閾値電圧 ゲートエミッタしきい値電圧

V 総額

わかった C =240mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25°C

4.5

6.5

V

ゲート 充電 ゲートチャージ

Q g

わかった C =900A,V CE =2800V, V 遺伝子組み換え =15V … 15V

8.1

µC

入力容量 输入電容量

C ies

V CE =25V,V 遺伝子組み換え =0V f=1MHz,T vj =25°C

105.6

ロープ

輸出容量 出力キャパシタンス

C オーエス

7.35

逆転移容量 逆転移キャパシタンス

C res

2.04

オン遅延 時間 開通遅延時間

t オンに

V CC =2800V,

わかった C =900A,

R G =2.2 ω ,

V 遺伝子組み換え =±15V

L σ =280nH,

インダクティブ負荷

Tvj = 25 °C

680

nS

Tvj = 125 °C

700

昇る時間 立ち上がり時間

t r

Tvj = 25 °C

230

Tvj = 125 °C

240

オフ遅延時間 オフ遅延時間

t d (オフ )

Tvj = 25 °C

2100

nS

Tvj = 125 °C

2300

秋の時間 下降時間

t f

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2800

オン 切り替え 損失エネルギー オン損失エネルギー

E on

Tvj = 25 °C

1900

mJ

Tvj =125 について °C

2500

切断する 損失エネルギー オフ損失エネルギー

E オフ

Tvj = 25 °C

3100

mJ

Tvj =125 について °C

3800

ショートサーキット 現在 短絡電流

わかった SC

t psc ≤ 10μ s, V 遺伝子組み換え =15V T vj = 125°C,V CC = 3400V

3600

A について