MTx820,MFx820,チリストール/ダイオードモジュール,空気冷却

VRRM ,VDRM

タイプ & 概要

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000V

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

1200V

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

シンボル

特徴

試験条件

Tj(℃)

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波 50Hz 単側冷却、Tc=85℃

135

820

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

180。半正弦波 50Hz

1287

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

135

120

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半シナス波,VR=0V

135

20.1

kA

わかった ²T

融解調整のためのI2t

2020

A について ²s* 10 ³

VTO

限界電圧

135

0.81

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.24

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 1500A

25

1.38

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

135

200

A/μs

ゲン

ゲート制御遅延時間

IG= 1A dig/dt= 1A/μs

25

4

μs

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=800A, tp=2000μs, VR=50V dv/dt=20V/μs, di/dt=-10A/μs

135

250

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

10

300

mA

ラング

ラッチ電流

試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験用試験

25

1500

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

135

0.25

v

インターナショナル・ディレクター

引き金のないゲート電流

VDM=67%VDRM

135

5

mA

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.047

℃/W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.015

℃/W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

3000

v

Fm

端子接続トルク（M10）

10.0

12.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

135

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

ワット

重量

1410

g

概要

416F3