簡単な紹介
サイリスタモジュール（非絶縁型） ,MT200 販売価格 ,MTY200 ,TECHSEMによって生産されています.
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VRRM,VDRM |
タイプとアウトライン |
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800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4 |
MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4 |
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MTxは任意のタイプのMTG、MTYを表します MFxは任意のタイプのMFG、MFYを表します | ||||
特徴 ：
典型的な用途 ：
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シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
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ほんの少し |
タイプ |
マックス |
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IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180違う 半正弦波 50Hz 片面冷却、TC=90 °C |
125 |
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200 |
A について |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
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314 |
A について |
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Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
VDRMおよびVRRMで |
125 |
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20 |
mA |
ITSM |
サージオン状態電流 |
VR=60%VRRM,t=10ms半正弦 |
125 |
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5.2 |
kA |
ポイント |
融解調整のためのI2t |
125 |
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135 |
103A について 2s |
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VTO |
限界電圧 |
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125 |
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0.80 |
v |
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
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1.15 |
mΩ |
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VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=600A |
25 |
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1.62 |
v |
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
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800 |
V/μs |
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
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100 |
A/μs |
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
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150 |
mA |
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
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2.5 |
v |
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IH |
ホールディング電流 |
10 |
|
180 |
mA |
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ラング |
ラッチ電流 |
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1000 |
mA |
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VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
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0.2 |
v |
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
180で 。sine、片面冷却チップごと |
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0.13 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
180で 違う sine、片面冷却チップごと |
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0.10 |
°C /W |
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Fm |
端子接続トルク(M6) |
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4.5 |
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6.0 |
N·m |
取り付けトルク(M6) |
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4.5 |
|
6.0 |
N·m |
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Tvj |
接合温度 |
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-40 |
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125 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
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-40 |
|
125 |
°C |
ワット |
重量 |
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280 |
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g |
概要 |
213F4 |
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