MTG150,MTY150,サイリスタモジュール(非絶縁型),TECHSEM

VRRM,VDRM

タイプとアウトライン

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTxは任意のt ypeの MTG、 MTY

MFxは任意のty peの MFG、 MFY

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半正弦波 50Hz

片面冷却、TC=90 °C

125

150

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

236

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

12

mA

ITSM

サージオン状態電流

VR=60%VRRM,t=10ms半正弦

125

3.9

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

125

76

10³A について ²s

VTO

限界電圧

125

0.80

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

1.74

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=450A

25

1.67

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

100

A/μs

IGT

ゲートトリガ電流

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

2.5

v

IH

ホールディング電流

10

180

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.20

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

180で 違う sine、片面冷却チップごと

0.16

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

180で 違う sine、片面冷却チップごと

0.10

°C /W

Fm

端子接続トルク(M6)

4.5

6.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

ワット

重量

280

g

概要

213F4