MTC55,溶接サイリスタ整流モジュール,空冷

VDRM,VRRM

タイプとアウトライン

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC55-06-224H3/224H3B

MTC55-08-224H3/224H3B

MTC55-10-224H3/224H3B

MTC55-12-224H3/224H3B

MTC55-14-224H3/224H3B

MTC55-16-224H3/224H3B

MTC55-18-224H3/224H3B

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波 50Hz

片側冷却、Tc =85 °C

125

55

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

125

86

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

15

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=60%VRRM

125

1.7

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

14.5

10³A について ²s

VTO

限界電圧

125

0.75

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

4.05

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM= 170A

25

1.60

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.6

2.5

v

IH

ホールディング電流

10

250

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに片側冷却

0.47

°C )/W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに片側冷却

0.15

°C ) /W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

3000

v

Fm

熱接続トルク（M5）

2.5

4.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C )

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C )

ワット

重量

100

g

概要

224H3、224H3B