高速ターンオフサイリスタモジュール

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180。半シナス波 50Hz 片側冷却 Tc=85 °C

125

400

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

628

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

100

mA

わかった _{ターミナル・マスク}

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=60%VRRM

125

8

kA

わかった ²T

融解調整のためのI2t

320

A について ²s* 10 ³

v _オー

限界電圧

125

0.83

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.72

mΩ

v _ティム

ピークオン状態電圧

ITM= 1200A

25

2.40

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

Qrr

リカバリーチャージ

ITM=300A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR=100V

125

650

µC

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

15

35

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

0.8

3.0

v

IH

ホールディング電流

10

200

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.065

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.023

°C /W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

2500

v

Fm

端子接続トルク（M10）

12.0

N·m

取り付けトルク(M6)

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

115

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

115

°C

ワット

重量

1500

g

概要

416F3