簡潔な紹介
高速ターンオフサイリスタモジュール ,MK(H)x 300 MK 300,3 00A .空冷 冷却、TECHSEMによって製造されました。
VRRM,VDRM | タイプとアウトライン | |
600V | MKx300-06-415F3 | MHx300-06-415F3 |
800V | MKx300-08-415F3 | MHx300-08-415F3 |
1000V | MKx300-10-415F3 | MHx300-10-415F3 |
1200V | MKx300-12-415F3 | MHx300-12-415F3 |
1400V | MKx300-14-415F3 | MHx300-14-415F3 |
1600V | MKx300-16-415F3 | MHx300-16-415F3 |
1800V | MKx300-18-415F3 | MHx300-18-415F3 |
1800V | MK300-18-415F3G |
|
MKxは任意のタイプを表します MKC、 MKA、 MKK
MHxは任意のタイプを表します MHC、 MHA、 MHK
特徴 :
典型的な用途
シンボル |
特徴 |
試験条件 | Tj( °C ) | 価値 |
ユニット | |||
ほんの少し | タイプ | マックス | ||||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う 半正弦波50Hz片側冷却、 |
TC=85 。C |
125 |
|
| 300 | A について |
IT(RMS) | RMSオン状態電流 |
|
| 471 | A について | |||
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 |
|
| 80 | mA | |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
| 7.30 | kA | |
ポイント | 融解調整のためのI2t |
|
| 266 | 103A について 2s | |||
VTO | 限界電圧 |
|
125 |
|
| 1.36 | v | |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 0.38 | mΩ | |||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=900A | 25 |
|
| 2.20 | v | |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs | |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し | 125 |
|
| 200 | A/μs | |
Tq | 回路コミュテーションターンオフ時間 | ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs | 125 | 20 |
| 40 | µs | |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA | |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 1.0 |
| 3.0 | v | |||
IH | ホールディング電流 | 20 |
| 200 | mA | |||
ラング | ラッチ電流 |
|
| 1000 | mA | |||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v | |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.080 | °C /W | |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.040 | °C /W | |
ヴィソ | 絶縁電圧 | 50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| v | |
Fm | 端子接続トルク(M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m | |
取り付けトルク(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | ||
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C | |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C | |
ワット | 重量 |
|
|
| 1260 |
| g | |
概要 | 415F3 |
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