高速ターンオフサイリスタモジュール

VRRM,VDRM

タイプとアウトライン

600V

MKx300-06-415F3

MHx300-06-415F3

800V

MKx300-08-415F3

MHx300-08-415F3

1000V

MKx300-10-415F3

MHx300-10-415F3

1200V

MKx300-12-415F3

MHx300-12-415F3

1400V

MKx300-14-415F3

MHx300-14-415F3

1600V

MKx300-16-415F3

MHx300-16-415F3

1800V

MKx300-18-415F3

MHx300-18-415F3

1800V

MK300-18-415F3G

シンボル

特徴

試験条件

Tj( °C )

価値

ユニット

ほんの少し

タイプ

マックス

IT(AV)

平均オン状態電流

180違う 半正弦波50Hz片側冷却、

TC=85 。C

125

300

A について

IT(RMS)

RMSオン状態電流

471

A について

Idrm Irrm

繰り返しピーク電流

VDRMおよびVRRMで

125

80

mA

ITSM

サージオン状態電流

10ms半正弦波 VR=60%VRRM

125

7.30

kA

ポイント

融解調整のためのI2t

266

10³A について ²s

VTO

限界電圧

125

1.36

v

ロープ

オン状態スロープ抵抗

0.38

mΩ

VTM

ピークオン状態電圧

ITM=900A

25

2.20

v

dv/dt

オフステート電圧の急激な上昇率

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

オン状態の電流の上昇の臨界速度

ゲートソース 1.5A

tr ≤0.5μs 繰り返し

125

200

A/μs

Tq

回路コミュテーションターンオフ時間

ITM=300A, tp=4000µs,VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

20

40

µs

IGT

ゲートトリガ電流

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

ゲートトリガ電圧

1.0

3.0

v

IH

ホールディング電流

20

200

mA

ラング

ラッチ電流

1000

mA

VGD

非トリガゲート電圧

VDM= 67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

ジャンクションからケースへの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.080

°C /W

Rth(c-h)

ケースからヒートシンクまでの熱抵抗

チップごとに単側冷却

0.040

°C /W

ヴィソ

絶縁電圧

50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX)

2500

v

Fm

端子接続トルク（M10）

10.0

12.0

N·m

取り付けトルク(M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

接合温度

-40

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度

-40

125

°C

ワット

重量

1260

g

概要

415F3