簡潔な紹介
溶接サイリスタモ ジュール、MFC182、182 A, 空気冷却 ,TECHSEMによって生産されています.
VDRM、VRRM | タイプとアウトライン | |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MFC182-08-229H3 MFC182-10-229H3 MFC182-12-229H3 MFC182-14-229H3 MFC182-16-229H3 MFC182-18-229H3 | MFC182-08-229H3B MFC182-10-229H3B MFC182-12-229H3B MFC182-14-229H3B MFC182-16-229H3B MFC182-18-229H3B |
特徴 ：
典型的な用途 ：
シンボル |
CHA 特性 |
試験条件 |
Tj( °C ) | 価値 |
ユニット | ||
ほんの少し | タイプ | マックス | |||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う 半シナス波 50Hz 片側冷却,Tc=85 °C | 125 |
|
| 182 | A について |
IT(RMS) | RMSオン状態電流 | 125 |
|
| 286 | A について | |
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 |
|
| 40 | mA |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
| 4.0 | kA |
ポイント | 融解調整のためのI2t |
|
| 80 | A について 2s*10 3 | ||
VTO | 限界電圧 |
|
125 |
|
| 0.83 | v |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 1.30 | mΩ | ||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=550A | 25 |
|
| 1.80 | v |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.6 |
| 2.5 | v | ||
IH | ホールディング電流 | 10 |
| 250 | mA | ||
ラング | ラッチ電流 |
|
| 1000 | mA | ||
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.16 | °C /W |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.08 | °C /W |
ヴィソ | 絶縁電圧 | 50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
Fm | 端子接続トルク(M6) |
|
| 2.5 |
| 4.0 | N·m |
取り付けトルク(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ワット | 重量 |
|
|
| 165 |
| g |
概要 | 229H3/229H3B | ||||||
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