簡潔な紹介
溶接スリスタモジュール ,m TC110 ，110A, 空気冷却 ,TECHSEMによって生産されています.
VDRM,VRRM | タイプとアウトライン |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MFC110-08-224H3 MFC110-10-224H3 MFC110-12-224H3 MFC110-14-224H3 MFC110-16-224H3 MFC110-18-224H3 |
特徴 ：
典型的な用途 ：
シンボル |
特徴 |
試験条件 | Tj( °C ) | 価値 |
ユニット | ||
ほんの少し | タイプ | マックス | |||||
IT(AV) | 平均オン状態電流 | 180違う 半シナス波 50Hz 片側冷却,Tc=85 °C |
125 |
|
| 110 | A について |
IT(RMS) | RMSオン状態電流 |
|
| 173 | A について | ||
Idrm Irrm | 繰り返しピーク電流 | VDRMおよびVRRMで | 125 |
|
| 20 | mA |
ITSM | サージオン状態電流 | 10ms半正弦波 VR=60%VRRM |
125 |
|
| 1.9 | kA |
ポイント | 融解調整のためのI2t |
|
| 18.1 | A について 2s*10 3 | ||
VTO | 限界電圧 |
|
125 |
|
| 0.80 | v |
ロープ | オン状態スロープ抵抗 |
|
| 2.29 | mΩ | ||
VTM | ピークオン状態電圧 | ITM=330A | 25 |
|
| 1.80 | v |
dv/dt | オフステート電圧の急激な上昇率 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | オン状態の電流の上昇の臨界速度 | ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | ゲートトリガ電圧 | 0.6 |
| 2.5 | v | ||
IH | ホールディング電流 | 10 |
| 250 | mA | ||
ラング | ラッチ電流 |
|
|
|
| 1000 | mA |
VGD | 非トリガゲート電圧 | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v |
Rth(j-c) | ジャンクションからケースへの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.25 | °C /W |
Rth(c-h) | ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 | チップごとに単側冷却 |
|
|
| 0.15 | °C /W |
ヴィソ | 絶縁電圧 | 50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
Fm | 熱接続トルク（M5） |
|
| 2.5 |
| 4.0 | N·m |
取り付けトルク(M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | 接合温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ターゲット・ストーブ | 保存温度 |
|
| -40 |
| 125 | °C |
ワット | 重量 |
|
|
| 100 |
| g |
概要 | 224H3 | ||||||
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